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[STM32F2] 把里面100个字节依次写入EEPROM

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 楼主| huanghuac 发表于 2021-7-4 10:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
EEPROM, EPROM, ROM
一个数组uchar buf[100]，想把里面100个字节依次写入EEPROM，应该怎么实现？
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happy_10 发表于 2021-7-4 10:21 | 显示全部楼层
楼主详细说说怎么回事啊，这么说太笼统了
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 楼主| huanghuac 发表于 2021-7-4 10:23 | 显示全部楼层
如果一次写一个字节，每次都要将地址写入吗，可不可以实现地址的自动偏移？
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zwll 发表于 2021-7-4 10:25 | 显示全部楼层
这个要看EEPROM的手册，有的EEPROM支持连续写的功能
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dingy 发表于 2021-7-4 10:28 | 显示全部楼层
这个需要进行地址的偏移处理的
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stly 发表于 2021-7-4 10:30 | 显示全部楼层
EEPROM一般支持页写的，写一次地址就可以写一页，速度更快。
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jiahy 发表于 2021-7-4 10:32 | 显示全部楼层
这个只能是地址自++才行。
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huangchui 发表于 2021-7-4 10:33 | 显示全部楼层
iic写入的地址+1偏移。
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songqian17 发表于 2021-7-4 10:35 | 显示全部楼层
EEPROM有偏移的方式的啊。
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dingy 发表于 2021-7-4 10:37 | 显示全部楼层
这个不是很容易吗？每次写完地址加一。
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tian111 发表于 2021-7-4 10:42 | 显示全部楼层
连续写入数据是需要有时间间隔的。
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xxmmi 发表于 2021-7-4 10:44 | 显示全部楼层

每次都需要写入保存到数据地址。定位之后，存储地址定位。
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jlyuan 发表于 2021-7-4 10:46 | 显示全部楼层

可以连续写入多个字节试试。
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juventus9554 发表于 2021-7-4 10:48 | 显示全部楼层
进行页写操作,要先进行单字节
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zhuhuis 发表于 2021-7-4 10:50 | 显示全部楼层
eeprom没有批量烧写吧，Flash有批量的写入方式。
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happy_10 发表于 2021-7-4 10:54 | 显示全部楼层

这个记得每次地址要加一的就可以吧
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bqyj 发表于 2021-7-4 10:57 | 显示全部楼层
写入更多数据要看EEPROM的手册，需要页的概念。
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chenjunt 发表于 2021-7-4 10:58 | 显示全部楼层
需要地址偏移
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zyf部长 发表于 2021-7-4 11:00 | 显示全部楼层
需要指定地址不
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wuhany 发表于 2021-7-4 11:02 | 显示全部楼层
网上这种例程有的是啊
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