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上图是用来做防接反电路的，BAT指的是电池，在正常上电后AO4410它的体二极管应该是导通的，同时左边的P MOS也导通了，
因此AO4410的的VGS大于导通电压，AO4410被导通。
但是选择N MOS FET的时候，Vishay的数据手册对于这种应用貌似没有直接的数据支持啊。
比如SI2342数据手册里的描述
连续的源漏极二极管电流 Is = 2.1A
而数据手册中连续漏源极电流Ids = 6A，数据手册里Ids是明确标明Vgs电压的，Is虽然没明说，但Vgs应该是等于0的
问题就在于在Vgs达到Vth导通电压的时候，Isd的大小是多少，会不会远小于Ids的6A啊。
我在应用中需要用到接近3A的电流，原本负责项目硬件选型的同事出事住院了，我接受他的任务后忽然想到了这个问题，望能得到解答
si2342ds.pdf
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