灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。mcu的工作频率最高可达72兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式，该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。
MM32SPIN160C特征
•内核与系统
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–最高工作频率可达72MHz
–单指令周期32位硬件乘法器, u8 C6 a0 C- J+ y' V
–硬件除法器(32Bit)( u3 E: i( F6 q$ n6 I" x
–单指令周期32位硬件乘法器
•存储器; [8 t1 B8 @( I6 K* P
–高达32K字节的闪存程序存储器2 ^+ q' ~3 A w" H' A* h' s! H$ N) Y
–高达4K字节的SRAM! w3 d6 {! B" e, {# O5 {& I ]; n
•时钟、复位和电源管理
–2.0V~5.5V供电
–上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压监测器（PVD）" ?/ v, l$ o/ N* l, Z' l' t* C
–外部2~24MHz高速晶体振荡器8 i% E* P; k) t" K
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器
–内嵌40KHz低速振荡器- ^& J2 H5 u+ n' m" z, b$ G
•低功耗
–睡眠、停机和待机模式& S0 x3 A# X0 {. N
• 5V LDO 稳压器
– 输入电压最高13.5V
• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER)
– 三相栅极驱动器
– 支持电压UVLO 保护( t4 x5 H1 [0 P+ V4 ~
– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流
• 96 位的芯片唯一ID（UID）
• 采用QFN32 封装8 X/ V* C5 t* R, h v1 n! ^
9 T1 m/ m0 u ^
MM32SPIN160C引脚$ U' Y# _. q" Q) Z& o
* H: X1 t, \7 Q1 F
内置的SRAM
内置最大可到4K字节的静态SRAM。7 ^: Z5 Z! b* ]9 u
它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不
插入任何等待进行访问。/ e% p6 u5 g7 p/ @. G( P
闪存主要特性
•高达32K字节闪存存储器& \1 G7 P; h, @% [
闪存接口的特性为：
•带预取缓冲器的数据接口(2×64位)
•选择字节加载器
•闪存编程/擦除操作
•访问/写保护
•低功耗模式
FLASH读操作& L3 c8 c7 w0 m6 t" C
嵌入式flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问，能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行：
•取指：预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
•潜伏期：等待位的个数，保证正确的读取。
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