mosfet震荡,各位大侠帮忙分析解决???

登录 · 发表于 2012-3-10 15:02

按照此图多路并联使用,最高可达20组并联,分别使用dc8v和dc13v给此电路供电,通过控制端使mosfet处于横流状态,电阻r97为100Ω的时候8v电源不产生震荡,12v电源产生震荡,当更改r97电阻为330Ω的时候12v电源OK,但是8v电原有可能震荡,通过更改r97实验了一块pcb板,8v和12v供电时ok,但是不同的板子不一样,我感觉没有找到问题的真正原因,请各位大侠帮忙分析一下电路,看看是何种原因???

发表于 2012-3-10 15:18

运放供电电压为正负9v,正当频率跟电流有关,电流大时正当频率为MHZ级别,电流小时为KHZ级别

发表于 2012-3-10 15:34

MOFET震荡问题,请大家帮忙解决!!

发表于 2012-3-10 15:34

没有看明白LZ的电路。那D18是干什么用的？

发表于 2012-3-10 15:38

D18是为了关断是出来一个负电压,保证关断mosfet,r89是电流采样,r93是给定控制

登录 · 发表于 2012-3-10 22:49

适当增加R113、R85以及R91的阻值。具体以实际调试为准。可防止振荡。

发表于 2012-3-11 08:46

本帖最后由 PowerAnts 于 2012-3-11 08:54 编辑

R97的阻值要适中, 不能太大, 也不能太小. 可参考俺的贴子中, xkw1cn、中华电源、leoliang等高手的发言

百度: 与驱动变压器的甜蜜性爱(关于G点的讨论)

发表于 2012-3-11 09:00

MOS在低电压条件下，寄生电容变化十分的大，密阻尼电阻有可能不能有效地全程消震。宜在R97上反并二极管，并尽可能降低驱动端对地阻抗

发表于 2012-3-11 16:40

通过控制端使mosfet处于横流状态

横流源用BJT比较好，而MOSFET比较适合PWM控制。

发表于 2012-3-12 08:12

这是一个线性调整电路，不是一个开关调整电路。所以，mos管阻尼振荡的概率较小。
大概率是某个运放自激或控制参数不正确。
由于mos并联使用，Cgs也成倍增加，是否超出运放带容性负载的能力。

发表于 2012-3-12 08:41

6楼的你好，咱们更改这个参数是不是为了更改频带

发表于 2012-3-12 08:42

7楼的你好，怎样才能进入你的帖子

发表于 2012-3-12 12:38

本帖最后由 xmar 于 2012-3-12 12:40 编辑

回11楼：
不是为了更改频带。是为了减少大环路负反馈量，同时又增加局部负反馈量。大环路负反馈是多级放大器自激的原因！

发表于 2012-3-14 08:32

多谢大家的关系，谁有mosfet硬件方面的qq群号码，麻烦发一下吧！谢谢！！！

发表于 2012-3-15 14:00

各位大侠,我这个电路中更改r97电阻为330欧,两个单元共用母线DC8v和DC12V,DC8V的时候是可行的两个单元可以并联使用没有问题,但是使用DC12v供电的时候产生震荡.麻烦各位大侠帮忙解决一下.
注意:没有单元共有20个mos并联使用,电流可以0-50A可调.
并联的两个单元除去母线电压有联系外,其他的相互隔离.

登录 · 发表于 2012-3-15 14:22

同意9楼的说法，恒流源用MOSFET容易振荡，用BJT不容易振荡。但哟娜BJT也有缺点，就是基极电流会影响精度，尤其是大电流的场合下，hFE比较低，加剧了矛盾。解决的办法有： 1、用复合三极管，这样电流增益达到1000以上，可以应付大多数情况，有的甚至用三管复合。以下电路来自美国国半的视频：

2、用JFET+BJT复合，电路是这样的：

发表于 2012-4-13 07:59

如果此电路在上电或掉电的时候有没有什么方法给保护一下，防止mos开通。

发表于 2012-4-26 12:06

MOS管G端下拉一个大电阻OK吗？

mosfet震荡,各位大侠帮忙分析解决???

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