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(三极管+MOS) & (MOS+MOS)组合电路

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沙发
LcwSwust| | 2021-8-9 16:12 | 只看该作者
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QWE4562009|  楼主 | 2021-8-9 18:06 | 只看该作者
LcwSwust 发表于 2021-8-9 16:12
楼主的目标是?

低功耗

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地板
QWE4562009|  楼主 | 2021-8-9 18:10 | 只看该作者
LcwSwust 发表于 2021-8-9 16:12
楼主的目标是?

你知道为什么MOS就功耗更低不

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LcwSwust| | 2021-8-10 08:33 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2021-8-9 18:10
你知道为什么MOS就功耗更低不

我想问的是你这电路用来干啥的?为啥看起来有点复杂。
MOS管功耗更低是因为它的门极不消耗电流。

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6
coody| | 2021-8-10 09:32 | 只看该作者
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的MOSFET用5V就能深度饱和,就不存在你说的导通不充分的说法,如果你的导通不充分,说明你的栅压不够,没用对管子。

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7
QuakeGod| | 2021-8-10 14:17 | 只看该作者
同意楼上说法

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8
QWE4562009|  楼主 | 2021-8-10 17:29 | 只看该作者
coody 发表于 2021-8-10 09:32
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的 ...

那比如单片机是3.3V的  你有哪些MOS可以推荐

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9
QWE4562009|  楼主 | 2021-8-10 17:35 | 只看该作者
coody 发表于 2021-8-10 09:32
直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的隐患? 不同意!MOSFET导通是否充分,跟你给的栅压有关,如果你的 ...

你用3.3V去控制4.2V  你试试就知道了

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10
coody| | 2021-8-10 23:24 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2021-8-10 17:35
你用3.3V去控制4.2V  你试试就知道了

这种电路用得多,没有问题。是你的电路或零件没选好。

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11
jazzyfox| | 2021-8-12 16:24 | 只看该作者
关键是要用低驱动电压的MOS管

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12
QWE4562009|  楼主 | 2021-8-12 18:21 | 只看该作者
jazzyfox 发表于 2021-8-12 16:24
关键是要用低驱动电压的MOS管

你有没有推荐?关注哪个参数?

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13
jazzyfox| | 2021-8-12 18:59 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2021-8-12 18:21
你有没有推荐?关注哪个参数?

si2301,就是耐压比较低

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14
linguanghua| | 2021-8-13 09:15 | 只看该作者
R12和两个二极管是多余的吧。

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15
QWE4562009|  楼主 | 2021-8-13 18:49 | 只看该作者
jazzyfox 发表于 2021-8-12 18:59
si2301,就是耐压比较低

SI是哪个公司的

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16
jazzyfox| | 2021-8-14 08:35 | 只看该作者

好多公司都有

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