本帖最后由 zlf1208 于 2021-8-11 11:19 编辑
三极管在作开关使用时有一个电荷存储效应，相当于电容的充放电。可以假想三极管CE间有一个电容，当三极管从截至转换到导通时充电，因为导通时通道的阻抗低，充电很快，所以在下降沿看不到充电的过程，当三极管从导通转换到关断时，这个电容要通过集电极电阻放电，因为集电极电阻比较大，所以放电速度较慢，用示波器测量时就能够看到上升沿的放电过程了。三极管进入饱和的程度越深，这个电容就越大，尖峰持续的时间就越长。楼主的电路因为基极电阻很小，所以三极管的饱和程度很深，尖峰就很大。MOS管也是同样的原因。
解决的办法：
1. 加大基极电阻，避免进入深度饱和区；
2. 减小集电极电阻，加速放电过程；
电阻计算：
先取集电极电阻为1K（电路功耗允许的话尽可能取小的数值），则集电极电流为Ic=U/Rc=3.3V/1K，假定三极管的放大倍数为100，则基极电阻最大值为Rb=100*(U-0.7)/Ic=100*(3.3-0.7)/(3.3/1K)=78K，留点安全系数，Rb可取47K。
可以做一个实验对存储效应加深印象：
这是最基本的三极管开关电路，Rb=4.7K，Rc=10K，在Vin处送入1MHz的方波信号，那么在三极管的集电极能够获得1MHz的方波信号吗？结果是永远的低电平！因为前一个信号的低电平时，三极管尚未有足够的时间退出饱和（存储效应的影响），第二个高电平又把三极管开通了。
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