关于晶体管ON时的逆向电流
在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。
1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的 2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。
3. 逆向晶体管有如下特点。 - hFE低（正向约10%以下）
- 耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)
↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下
(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。) - VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化
至产品详细网页 关于封装功率容许功 定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。
这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。 VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。
图1. 热电阻测量电路 由此，通过测定VBE，可以推测结温。
通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。
(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)
如图2: - 测定VBE的初始值VBE1
- 对晶体管输入功率，使PN结热饱和
- VBE的后续值：测定VBE2
从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
（达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）
因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。
图2. 进度表 至产品详细网页 fT：增益带宽积、截止频率 fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。
提高基极输入频率，hFE变低。
这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益带宽积）。
fT指在该频率下能够工作的极限值。
但是，实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。 测定条件如下
f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE：任意设定。我公司为一般值。
IC：任意设定。我公司为一般值。
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