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[电路/定理]

mos管经常击穿

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楼主
pointar|  楼主 | 2021-8-27 16:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, RS, se, Users, TE, pd
想测试两个MOS管的漏极电流，可在测试中发现Q1这了MOS管DS经常击穿，请问这个什么原因造成的？file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\603704251\QQ\WinTemp\RichOle\F83A626N~08@NL}]KB_ENBU.png

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沙发
I求知若渴| | 2021-8-27 17:20 | 只看该作者
没有图

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pointar 2021-8-30 08:25 回复TA
图发不上啊不知道为什么 
板凳
叶春勇| | 2021-8-27 21:35 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-8-27 21:17
绿圈消除靜电荷。NMOS为例。

上面的图正电源，mos截止。
下面的图负电源，二极管导通。
你的意思是说负点压导致？

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地板
叶春勇| | 2021-8-27 22:47 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-8-27 22:00
上图，绿圈的G极悬空不和S极相通，D到S的漏电流还蛮大的。
下图，情况同上，又多出了D丶S并联的二极管顺 ...

以前做电气时，买过本，变频器原理介绍的书 ，听说过gto，igbt更贵，速度更快，等我入行电子，igbt一统天下了。电子我喜欢研究小信号，功率半导体似乎不可靠，在我手上坏的变频器都有几十台

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5楼
cooldog123pp| | 2021-8-28 09:59 | 只看该作者
楼主的图好奔放啊~~一时间没有看明白，还是等论坛大神过来解答~

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6楼
coody| | 2021-8-28 12:24 | 只看该作者
大部分情况下，击穿都是因为过压。

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