mos管经常击穿

Users · 发表于 2021-8-27 16:04

想测试两个MOS管的漏极电流，可在测试中发现Q1这了MOS管DS经常击穿，请问这个什么原因造成的？file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\603704251\QQ\WinTemp\RichOle\F83A626N~08@NL}]KB_ENBU.png

发表于 2021-8-27 17:20

没有图

发表于 2021-8-27 21:35

king5555 发表于 2021-8-27 21:17
绿圈消除靜电荷。NMOS为例。

上面的图正电源，mos截止。
下面的图负电源，二极管导通。
你的意思是说负点压导致？

发表于 2021-8-27 22:47

king5555 发表于 2021-8-27 22:00
上图，绿圈的G极悬空不和S极相通，D到S的漏电流还蛮大的。
下图，情况同上，又多出了D丶S并联的二极管顺 ...

以前做电气时，买过本，变频器原理介绍的书，听说过gto，igbt更贵，速度更快，等我入行电子，igbt一统天下了。电子我喜欢研究小信号，功率半导体似乎不可靠，在我手上坏的变频器都有几十台

发表于 2021-8-28 09:59

楼主的图好奔放啊~~一时间没有看明白，还是等论坛大神过来解答~

发表于 2021-8-28 12:24

大部分情况下，击穿都是因为过压。

[电路/定理] mos管经常击穿

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