HK32F103VET6的FSMC读写nand存储器遇到的问题

只看该作者 · 2021-8-28 21:54

原来芯片是stm32f103vet6,替换上HK32F103VET6后读写K9F1208U0B不成功，但同总线上读写液晶屏（用的是FSMC的SRAM读写模块）没有问题。现附上原初始化程序。
void k9f1208_Init(void)
{
  FSMC_NANDInitTypeDef FSMC_NANDInitStructure;
  FSMC_NAND_PCCARDTimingInitTypeDef p;
  /*-- GPIO Configuration ------------------------------------------------------*/
  /* CLE, ALE, D0->D3, NOE, NWE and NCE2 NAND pin configuration */
  /*-- FSMC Configuration ------------------------------------------------------*/
FSMC_NAND_GPIO_Init();
  p.FSMC_SetupTime = 0x1;//1
  p.FSMC_WaitSetupTime = 0x3;//3
  p.FSMC_HoldSetupTime = 0x2;//2
  p.FSMC_HiZSetupTime = 0x1;//1
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank2_NAND;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_Waitfeature = FSMC_Waitfeature_Enable;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_ECC = FSMC_ECC_Enable;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_ECCPageSize = FSMC_ECCPageSize_512Bytes;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_TCLRSetupTime = 0x00;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_TARSetupTime = 0x00;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_CommonSpaceTimingStruct = &p;
  FSMC_NANDInitStructure.FSMC_AttributeSpaceTimingStruct = &p;
  FSMC_NANDInit(&FSMC_NANDInitStructure);
  /* FSMC NAND Bank Cmd Test */
  FSMC_NANDCmd(FSMC_Bank2_NAND, ENABLE);
}

只看该作者 · 2021-8-29 09:51

自己顶。

只看该作者 · 2021-8-30 08:23

可能是时序的问题，你把CACHE关一下

只看该作者 · 2021-8-30 14:34

HSXP063 发表于 2021-8-30 08:23
可能是时序的问题，你把CACHE关一下

请说具体一点，怎么操作，我比较过时序波形，发现读写脚的电平，使能端的电平波形都差不多，就是ALE和CLE(数据锁存和命令锁存，我分别用作数据和命令地址的选通）的电平有区别。

只看该作者 · 2021-8-30 20:46

以下是读芯片ID时采集的波形，左上至右下分别为：RE,WE,CLE(A20),ALE(A19):
void FSMC_NAND_ReadID(NAND_IDTypeDef* NAND_ID)
{
  u32 data = 0;
GPIOC->BSRR =GPIO_Pin_14;
GPIOC->BRR  =GPIO_Pin_14;
  *(vu8 *)(Bank_NAND_ADDR | CMD_AREA) = 0x90;
  *(vu8 *)(Bank_NAND_ADDR | ADDR_AREA) = 0x00;
data = *(vu32 *)(Bank_NAND_ADDR | DATA_AREA);  //从数据区0x70000000读回数据
NAND_ID->Maker_ID = ADDR_1st_CYCLE (data);
NAND_ID->Device_ID  = ADDR_2nd_CYCLE (data);
NAND_ID->Third_ID = ADDR_3rd_CYCLE (data);
NAND_ID->Fourth_ID  = ADDR_4th_CYCLE (data);
   delay_us(1);
}
F:21IC/HK.png
F:21IC/ST.png

只看该作者 · 2021-8-30 20:47

本帖最后由王金成于 2021-8-30 20:58 编辑

F:\21IC\HK.png如图，ST的可以读出正确的ID，航顺的读到都是0或者FF, 仔细观察，二者的读和写选择信号没有问题，感觉航顺的A20(CLE)和A19（ALE）波形明显不对。所以读不出正确的数据。

只看该作者 · 2021-9-1 08:28

毛刺是怎么回事？你想办法将毛刺去掉。

只看该作者 · 2021-9-1 08:56

单片小菜发表于 2021-9-1 08:28
毛刺是怎么回事？你想办法将毛刺去掉。

谢谢你的回复，那个不是毛刺，是一个时钟周期的窄脉冲，紫色的是我从其他脚输出的一个开始标志，100M的示波器速度不够所以看上去是尖刺。黄色的是地址选通锁存（ALE和CLE波形差不多）,感觉问题就出在地址选通上，nand的ALE,CLE是高电平锁存，但示波器显示的波形明显是反了，它是平常高电平，拉低锁存了，这肯定是不对的；我看STM32的波形是正常的，平常是低电平，锁存时是标准的高定平脉冲，并且两个锁存信号有区别，我怀疑HK的FSMC和ST的不兼容。

只看该作者 · 2021-9-1 14:44

持续跟进一下这个帖子，了解到里面究竟有什么不同。

只看该作者 · 2021-9-1 14:49

勇敢的大白菜发表于 2021-9-1 14:44
持续跟进一下这个帖子，了解到里面究竟有什么不同。

谢谢跟帖，我晚点把液晶驱动的总线信号波形也发一下，感觉虽然液晶屏显示正常，但总感觉FSMC有点问题。

只看该作者 · 2021-9-3 10:42

原本准备把液晶的地址选通信号图贴出来的，但怕图片导致帖子过长，先不贴了，不过，打包票，同样的程序，先后执行给液晶屏的某个点亮灭，再读K9F1208U0B的ID号，ST和航顺的波形不一样，区别很大。ST的液晶选通有电平变化，是正常的，但航顺的液晶选通线始终是低电平有效（就是其他读写不正常导致这个的地址选通没有变化过），不得不怀疑读存储器的FSMC总线没有工作或者是不正常工作，用到FSMC的还是请注意一下。

只看该作者 · 2021-9-27 14:28

王金成发表于 2021-9-3 10:42
原本准备把液晶的地址选通信号图贴出来的，但怕图片导致帖子过长，先不贴了，不过，打包票，同样的程序，先 ...

搞定了吗

只看该作者 · 2021-9-29 11:28

王金成发表于 2021-8-30 14:34
请说具体一点，怎么操作，我比较过时序波形，发现读写脚的电平，使能端的电平波形都差不多，就是ALE和CLE ...

在写了FLASH->AR寄存器后,操作FLASH->CR寄存器前执行 CACHE->CTL |= 0x0800 指令清一下 CACHE。

HK32F103VET6的FSMC读写nand存储器遇到的问题

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