GD32E230 flash 模拟eeprom

只看该作者 · 2021-9-3 09:01

求 GD32E230 Flash 模拟eeprom的例子。像ST的那样

只看该作者 · 2021-9-3 09:05

只看该作者 · 2021-9-3 09:11

本帖最后由 97011549 于 2021-9-3 09:26 编辑

GD的资料太少了，不好用

只看该作者 · 2021-9-3 09:26

这里有GD的FAE吗

只看该作者 · 2021-9-3 09:29

Flash模拟EEPROM，模拟是什么意思，是不是保存数据，掉电后数据不丢失。这个本来就是flash的特点啊。GD32E230的例程里面就有这个事例代码，自己下载就可以.

只看该作者 · 2021-9-3 10:25

E230好像一页是1024字节吧，我要看一下资料，擦除一次后，你根据自己数据的多少，安排写入的位置，下次写的时候就根据上次的位置进行安排，假如一页写满了，下次再写，肯定要擦除，即使是STM，也要擦除。这个程序应该不是复杂。

只看该作者 · 2021-9-3 16:08

这有什么要模拟的，flash直接存储就可以呀，哈哈现在人都被ST的生态搞到连硬件都不懂了

只看该作者 · 2021-9-4 14:38

楼主的意思是要充分挖据Flash的寿命，能少擦除一次就少擦除一次。不过E230的最少10万次寿命应该也不少了。

只看该作者 · 2021-9-8 17:42

给你个思路。读和写配合起来搞，利用没有写数据时该地址的数据为FFFF，来判断和计算偏移量。这样存储想写几页就写几页