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在项目中遇到STM32操作外部扩展RAM数据的时候，读写十分费时间，查得cubeMX用FSMC扩展外部RAM的配置时，将时间相关参数都设置成默认最大，确保能够读取到数据，但是导致访问外部RAM特别费时。
通过分析IS62WV51216BLL的读写时序图和时间特性参数，得到较合理的时间参数，大大优化了外部RAM的操作时间。下面先介绍下前面3个参数：
1.Address setup time: 从设置引脚地址开始到能够读取数据的时间段
2.Data setup time: 设置完地址后，能够读取数据总线的时间段
3.Bus turn around: 两次操作时间的间隔时间，根据只读操作，只写操作，读写操作可能不同。
图1 上图中的1就是.Address setup time ， 2就是Data setup time。 通过配置FSMC的ADDSET寄存器得到Address setup time，配置DATAST寄存器得到Data setup time。关于这两个参数的设置步骤如下： 步骤1： 首先查外部RAM的时间特性参数，得到外部RAM读，写操作最快的周期时间，也就是每次读，写需要的最短时间。
根据STM32的操作时序图1
（ADDSET+1）*Hclk+(DATAST+1)*Hclk+ 2*Hclk > 55ns (1)
步骤2：然后由于每次FSMC切换地址后(即读另外地址时候)，外部RAM需要一定的时间才能将数据打到数据线上，该时间也通过查外部RAM的时间特性参数得到。
根据STM32的操作时序图1
（ADDSET+1）*Hclk > 10ns (2)
步骤3：一般我们在访问外部RAM的时候，肯定是希望越快越好，因此只要我们设置能满足(1),(2)条件，肯定设置尽可能时间小，速度快。
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