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[STM32F1]

fram的数据存储问题

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楼主
gongche|  楼主 | 2021-9-12 08:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
现在需要对一些数据进行读写操作,且要求掉队电不丢失,但information memory 空间不够。1.information memory空间是否可以合并且调整大小?
2.或者直接将数据存储于代码区的后段?
3.重新烧录代码是否将会丢失原来保存的数据?
4.如果改写cmd文件增加数据区来实现数据的读写功能该如何做?

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沙发
supernan| | 2021-9-12 08:15 | 只看该作者
使用外部的存储器吗???

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板凳
supernan| | 2021-9-12 08:17 | 只看该作者
正常的flash都可以实现。

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地板
zhanghqi| | 2021-9-12 08:19 | 只看该作者
估计是flash占用的接口太多。

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5
yszong| | 2021-9-12 08:21 | 只看该作者
fram指的是什么芯片啊?

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6
ousj| | 2021-9-12 08:23 | 只看该作者
FRAM 是讲的铁电吧, 这个器件好象价格不低, 容量不是太大. 不过随机写的性能比较适合这里的应用

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7
renyaq| | 2021-9-12 08:25 | 只看该作者
铁电的比较好,几乎不限制擦鞋次数

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8
xxrs| | 2021-9-12 08:32 | 只看该作者
请问什么是fram?

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9
supernan| | 2021-9-12 08:34 | 只看该作者
数据量是不是太大了

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10
gongche|  楼主 | 2021-9-12 08:35 | 只看该作者
唉,还是没有什么结果,算了,多谢大家啦

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11
tpgf| | 2021-10-8 11:08 | 只看该作者
楼主需要多大的空间啊

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12
wowu| | 2021-10-8 11:09 | 只看该作者
换一个存储单元不就解决了吗

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13
xiaoqizi| | 2021-10-8 11:13 | 只看该作者
从来没用过这种数据存储单位

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木木guainv| | 2021-10-8 11:14 | 只看该作者
铁电的速度如何

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磨砂| | 2021-10-8 11:15 | 只看该作者
如何指定烧写位置呢

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