NMOS+PMOS控制电池电压输出

只看该作者 · 2021-9-24 18:43

NMOS+PMOS控制电池电压输出

1.在MCU_CTL给高电平的时候，Q5、Q1导通，BAT_OUT输出电池电压3.7V，这个没问题

2.在MCU_CTL给低电平的时候，Q5、Q1截止了，为什么BAT_OUT输出还是有0.2V左右，是什么原因？如何改善这个bug

3.按照PMOS体二极管的内部结构，由D→S，所以S接的是BAT，这个接法是正确的

只看该作者 · 2021-9-25 09:05

首先要看你这个0.2V是在什么条件下测得的。
如果Bat_OUT端完全空着，没有负载，直接拿数字万用表量的，那么0.2V也不算离谱但不太好，相当于Q1的SD漏电0.2uA；
如果Bat_OUT端有完整电路的，那么0.2V就很正常了，当电路的电压降到0.5V这个水平时，再下去的漏电流是相当小的，并且是越来越小，如果你把万用表搭在上面持续观察，这个电压应该会缓慢下降的；

1万 · 2021-9-25 17:08

虽然我不是很明白，但是路过了就帮忙楼主顶贴一下，希望楼主问题早日解决。

只看该作者 · 2021-9-26 18:06

fzyuan 发表于 2021-9-25 09:05
首先要看你这个0.2V是在什么条件下测得的。
如果Bat_OUT端完全空着，没有负载，直接拿数字万用表量的，那么 ...

方总水平还是挺高的

只看该作者 · 2021-9-26 18:07

fzyuan 发表于 2021-9-25 09:05
首先要看你这个0.2V是在什么条件下测得的。
如果Bat_OUT端完全空着，没有负载，直接拿数字万用表量的，那么 ...

后面是有负载的那这个0.2V会有呢？按道理Q1已经拉闸了彻底关断了输出才对

只看该作者 · 2021-9-26 18:55

fzyuan 发表于 2021-9-25 09:05
首先要看你这个0.2V是在什么条件下测得的。
如果Bat_OUT端完全空着，没有负载，直接拿数字万用表量的，那么 ...

方总
1.有很多人让我把R5改成100K（那样Q5就更耗电了，那改小干嘛）

2.也有人说在Q5的D和Q1的G极之间要加一个电阻

3.也有人说在Q5的极对GND之间要加一个下拉电阻

以上三点，你觉得有必要不

只看该作者 · 2021-9-27 09:08

fzyuan 发表于 2021-9-25 09:05
首先要看你这个0.2V是在什么条件下测得的。
如果Bat_OUT端完全空着，没有负载，直接拿数字万用表量的，那么 ...

您好，方总，第二条没看懂，能否再详细说一下。我的理解：如果bat_OUT后端有完整的电路，那么当Q1关断时，bat_OUT处的电压很快降到0V啊

只看该作者 · 2021-9-27 09:36

QWE4562009 发表于 2021-9-26 18:55
方总
1.有很多人让我把R5改成100K（那样Q5就更耗电了，那改小干嘛）

1. R5的取值，为了让Q1快速可靠地关断，R5应该小一些，但是小了之后会增加设备工作期间的电流消耗，假设设备的平均工作电流为10mA，那么我认为R5消耗掉0.1mA的电流也不是大问题。
2. 没有必要，总共4.2V（在怎么着也不会大于5V）的电压，Q1都是能承受的。唯一可能需要考虑的是假设BAT_OUT处接有千uF级的电容，而BAT端还有其他电流对电压波动比较敏感，这时就需要对Q1的导通速率进行控制。
3. 可以考虑接一个较大的电阻，在掉电之后较长的一段时间内，MCU_CTL是可能处于失控状态的。

只看该作者 · 2021-9-27 10:57

fzyuan 发表于 2021-9-27 09:36
1. R5的取值，为了让Q1快速可靠地关断，R5应该小一些，但是小了之后会增加设备工作期间的电流消耗，假设 ...

1.电池是30mAh的，工作电流1-2mA，这个0.1mA是怎么计算的？

2.BAT_out是有uF电容的

3.这个下拉电阻100K是否合适？怎么选择最合适的阻值呢？毕竟这里也是要消耗电流的

只看该作者 · 2021-9-27 14:38

QWE4562009 发表于 2021-9-27 10:57
1.电池是30mAh的，工作电流1-2mA，这个0.1mA是怎么计算的？

2.BAT_out是有uF电容的

1. 原举例是10mA——0.1mA，这个比例是1%，总之你自己感觉耗这点电流不会心疼；
2. 细看原文；
3. 参考1.

NMOS+PMOS控制电池电压输出

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