MOS管的漏电流
在微型可穿戴设备中,对于电池的功耗要求很高,所以为了省电,其实电路也是很多的,最省电的无疑就是直接断开电池的供电了
这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用,NMOS作为下管控制PMOS的输出。
NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的,重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS,一般小于多少才算是极低的漏电流?
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
收藏0 举报
caoenq 发表于 2021-10-14 09:18 电池自放电的电流,都比这个mos管的漏电流大了
QWE4562009 发表于 2021-10-15 19:11 电池自放电应该是nA或者更小的级别吧!
lyjian 发表于 2021-10-15 20:05 还真没这么小。
本版积分规则 发表回复 回帖并转播 回帖后跳转到最后一页
时间类勋章
人才类勋章
发帖类勋章
等级类勋章
1113
3188
23
扫码关注 21ic 官方微信
扫码关注嵌入式微处理器
扫码关注电源系统设计
扫码关注21ic项目外包
扫码浏览21ic手机版
本站介绍 | 申请友情链接 | 欢迎投稿 | 隐私声明 | 广告业务 | 网站地图 | 联系我们 | 诚聘英才
京公网安备 11010802024343号