[电路/定理] 请教:MOS管开关电路风险

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chenzhouyu|  楼主 | 2021-10-25 19:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 chenzhouyu 于 2021-10-25 19:12 编辑

大家好!
      请教个问题:

      最近遇到表问题,有个原厂DEMO的MOS开关电路,一打开系统就重启,可能是什么原因呢?
后级电路也没有大电容。如图1所示。

      现在我把电路改成图2的方式,会不会容易烧MOS管?

图1.png
图2.png

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王栋春| | 2021-10-25 21:30 | 显示全部楼层
R525、R535的阻值会不会太大了些。

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chenzhouyu 2021-10-26 13:40 回复TA
参数我会根据实际情况再调试下,谢谢您的提醒。 
king5555| | 2021-10-25 21:57 | 显示全部楼层
如果,2图是下图,就可以。但是,104电容宜用兩颗并联。所以,有备无患。

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怀揣少年梦| | 2021-10-26 08:35 | 显示全部楼层
个人觉得图2,不会烧,没有产生大电流的地方

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steelen| | 2021-10-26 09:20 | 显示全部楼层
图2,不会烧

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e21| | 2021-10-26 09:52 | 显示全部楼层
c519太大,开关速度慢,散热不好还没开好估计就烧了.

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chenzhouyu 2021-10-26 13:43 回复TA
谢谢提醒!确实不容忽视 。 
mochou| | 2021-10-26 11:28 | 显示全部楼层
建议MOS GS间加稳压二极管。

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chenzhouyu|  楼主 | 2021-10-26 13:44 | 显示全部楼层
谢谢大家的回答,我先按照图2打样一版回来调试看看。

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coody| | 2021-10-26 14:30 | 显示全部楼层
上图哟冲击电流,容易导致MCU复位或烧MOSFET。
下图调整适当的零件参数,减缓上电冲击,就可以避免。

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fzyuan| | 2021-10-28 11:04 | 显示全部楼层
图1电路是抄了形没得神,要是在Q6集电极串一个10k电阻就有效了,而且效果肯定比图2好;
这样开机的冲击电流最多就一二十mA。
但主要原因还是VDD3V3实在太弱了。

如果作为低功耗设计,R58是在太小了,费电。

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xilibubo2| | 2021-10-28 19:59 | 显示全部楼层
C63什么作用 48360617a90bdba7a5.png

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gxzqh90619| | 2021-10-30 16:00 | 显示全部楼层
GS要压差,改P管

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lf626384| | 2021-11-1 10:49 | 显示全部楼层
你这个图,mos根本就不会导通吧,按原来的,不要R535,才能工作

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deerdda| | 2021-11-3 22:30 | 显示全部楼层
原来VDD3V3_LCD供电打开复位,主要还是VDD3V3_LCD供电上容性负载过大,导致VDD3V3电压跌落时间过长致使其他电路复位,如果在容性负载许可范围内是否可以考虑在VDD3V3在MOSFET端加一大电容缓冲,同时在VDD3V3_LCD与MOSFET端增加负温度系数电阻解决

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