发新帖我要提问
返回列表
打印
[电路/定理]

请教：MOS管开关电路风险

[复制链接]
4613|14
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
chenzhouyu|  楼主 | 2021-10-25 19:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 chenzhouyu 于 2021-10-25 19:12 编辑

大家好！
      请教个问题：

      最近遇到表问题，有个原厂DEMO的MOS开关电路，一打开系统就重启，可能是什么原因呢？
后级电路也没有大电容。如图1所示。

      现在我把电路改成图2的方式，会不会容易烧MOS管？

图1.png (53.78 KB )

图1.png

图2.png (45.74 KB )

图2.png

使用特权

评论回复 赏

相关下载
沙发
王栋春| | 2021-10-25 21:30 | 只看该作者
R525、R535的阻值会不会太大了些。

使用特权

评论回复 赏
评论
chenzhouyu 2021-10-26 13:40 回复TA
参数我会根据实际情况再调试下，谢谢您的提醒。 
板凳
怀揣少年梦| | 2021-10-26 08:35 | 只看该作者
个人觉得图2，不会烧，没有产生大电流的地方

使用特权

评论回复 赏
地板
steelen| | 2021-10-26 09:20 | 只看该作者
图2，不会烧

使用特权

评论回复 赏
5楼
e21| | 2021-10-26 09:52 | 只看该作者
c519太大,开关速度慢,散热不好还没开好估计就烧了.

使用特权

评论回复 赏
评论
chenzhouyu 2021-10-26 13:43 回复TA
谢谢提醒！确实不容忽视 。 
6楼
mochou| | 2021-10-26 11:28 | 只看该作者
建议MOS GS间加稳压二极管。

使用特权

评论回复 赏
7楼
chenzhouyu|  楼主 | 2021-10-26 13:44 | 只看该作者
谢谢大家的回答，我先按照图2打样一版回来调试看看。

使用特权

评论回复 赏
8楼
coody| | 2021-10-26 14:30 | 只看该作者
上图哟冲击电流，容易导致MCU复位或烧MOSFET。
下图调整适当的零件参数，减缓上电冲击，就可以避免。

使用特权

评论回复 赏
9楼
fzyuan| | 2021-10-28 11:04 | 只看该作者
图1电路是抄了形没得神，要是在Q6集电极串一个10k电阻就有效了，而且效果肯定比图2好；
这样开机的冲击电流最多就一二十mA。
但主要原因还是VDD3V3实在太弱了。

如果作为低功耗设计，R58是在太小了，费电。

使用特权

评论回复 赏
10楼
xilibubo2| | 2021-10-28 19:59 | 只看该作者
C63什么作用

使用特权

评论回复 赏
11楼
gxzqh90619| | 2021-10-30 16:00 | 只看该作者
GS要压差，改P管

使用特权

评论回复 赏
12楼
lf626384| | 2021-11-1 10:49 | 只看该作者
你这个图，mos根本就不会导通吧，按原来的，不要R535,才能工作

使用特权

评论回复 赏
13楼
deerdda| | 2021-11-3 22:30 | 只看该作者
原来VDD3V3_LCD供电打开复位，主要还是VDD3V3_LCD供电上容性负载过大，导致VDD3V3电压跌落时间过长致使其他电路复位，如果在容性负载许可范围内是否可以考虑在VDD3V3在MOSFET端加一大电容缓冲，同时在VDD3V3_LCD与MOSFET端增加负温度系数电阻解决

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

chenzhouyu

34

主题

136

帖子

6

粉丝