请教：MOS管开关电路风险

登录 · 发表于 2021-10-25 19:02

本帖最后由 chenzhouyu 于 2021-10-25 19:12 编辑

大家好！
   请教个问题：

   最近遇到表问题，有个原厂DEMO的MOS开关电路，一打开系统就重启，可能是什么原因呢？
后级电路也没有大电容。如图1所示。

   现在我把电路改成图2的方式，会不会容易烧MOS管？

发表于 2021-10-25 21:30

R525、R535的阻值会不会太大了些。

发表于 2021-10-26 08:35

个人觉得图2，不会烧，没有产生大电流的地方

发表于 2021-10-26 09:20

图2，不会烧

发表于 2021-10-26 09:52

c519太大,开关速度慢,散热不好还没开好估计就烧了.

发表于 2021-10-26 11:28

建议MOS GS间加稳压二极管。

发表于 2021-10-26 13:44

谢谢大家的回答，我先按照图2打样一版回来调试看看。

发表于 2021-10-26 14:30

上图哟冲击电流，容易导致MCU复位或烧MOSFET。
下图调整适当的零件参数，减缓上电冲击，就可以避免。

发表于 2021-10-28 11:04

图1电路是抄了形没得神，要是在Q6集电极串一个10k电阻就有效了，而且效果肯定比图2好；
这样开机的冲击电流最多就一二十mA。
但主要原因还是VDD3V3实在太弱了。

如果作为低功耗设计，R58是在太小了，费电。

登录 · 发表于 2021-10-28 19:59

C63什么作用

发表于 2021-10-30 16:00

GS要压差，改P管

发表于 2021-11-1 10:49

你这个图，mos根本就不会导通吧，按原来的，不要R535,才能工作

发表于 2021-11-3 22:30

原来VDD3V3_LCD供电打开复位，主要还是VDD3V3_LCD供电上容性负载过大，导致VDD3V3电压跌落时间过长致使其他电路复位，如果在容性负载许可范围内是否可以考虑在VDD3V3在MOSFET端加一大电容缓冲，同时在VDD3V3_LCD与MOSFET端增加负温度系数电阻解决

[电路/定理] 请教：MOS管开关电路风险

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