本帖最后由 Lin15818963559 于 2021-11-12 11:51 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潜心研发，整合优势资源，让客户更加方便地用上氮化镓技术，获得氮化镓低开关损耗、高效率的优势，降低充电器的能耗，节能减排助力“3060双碳”战略。
茂睿芯年初发布了业界最小体积SOT23-6的高频QR ACDC PWM产品:MK2697/MK2697G，其中MK2697外驱MOSFET(SJ MOS，超级硅等)，MK2697G直驱E-GaN。搭配业界最全的同步整流产品， 茂睿芯为客户提供全套高频高效的快充解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。
致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成GaN HEMT的ACDC功率开关，MK2787采用ESOP-8封装设计，MK2788采用DFN5x6封装设计，方便客户选用。
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E-GaN开通阈值和栅源工作电压都很低，对驱动电路的干扰非常敏感，在设计驱动电路时需要最小化栅极驱动环路面积、减小寄生电感，避免过冲导致器件误开通或误关断。相比外驱方式，合封显著降低驱动环路面积，提高GaN系统的可靠性，同时使得客户PCB布局更加便利。此外MK2787/MK2788采用茂睿芯独有的处于行业领先位置的高压技术，Vcc耐压高达110V，PPS应用无需稳压电路；采用了专利软驱技术，有效降低同步整流管电压应力；采用高频QR控制技术，有效减小变压器尺寸。
一、高功率密度33W PD解决方案: MK2787/MK2788
特性介绍:
高耐压: MK2788 110V Vcc 耐压，无需稳压电路
低应力: 专利软驱技术，有效降低原副边功率管应力
高集成度: 集成650V/480mΩGaN HEMT，减小PCB布板面积
高频QR: 支持高频设计，有效减小变压器体积
高效率: 33W满载效率高达92.4%
应用框图:
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满载、轻载都在精确的谷底导通，有效提升系统效率:
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专利软驱技术， 即使在264V AC输入，各种工况下，VDS_SR最大尖峰电压仅为74.6V，采用100V 或 80V MOSFET足以应对各种工作状态:
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高效率，33W满载效率高达92.4%，温升仅53.7℃（25℃环温测试）:
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二、特色ACDC产品系列
针对PD/QC等快充方案变电压输出的特性，茂睿芯已陆续推出多款宽Vcc范围的ACDC解决方案，专利保护的软驱技术，可大大优化初次级MOS应力，为客户省去传统方案中的Vcc稳压电路，减小布板空间、降低BOM成本，方便灵活使用。
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三、品类完整、技术领先的同步整流产品系列
同时茂睿芯陆续推出了品类完整、技术领先的同步整流产品。产品涵盖了高频、低频和大电流应用。至此，茂睿芯的同步整流产品已经覆盖1MHz以下所有fly-back应用，后续还将推出支持LLC工作方式的同步整流方案。
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深圳市启烨科技有限公司，国产芯片代理，代理产品线包括：茂睿芯、欧创芯、芯洲、润石、聚洵、移柯、纳芯威、有容微、灵动微等多个品牌
更多信息，欢迎来电咨询，林先生，15818963559
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