[STM8] STM8Lgpio口内部结构

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 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 18:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
如果我想要io配置成推挽输出低,那么上面的P-BUFFER应该关断,下面的N-BUFFER应该导通,那么P-BUFFER前面的与非门应该输入都是高电平,N-BUFFER前面的或非门应该输入都是低电平,那么他们共用的那个输入线的电平不就矛盾了吗
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 18:47 | 显示全部楼层
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 18:48 | 显示全部楼层
supernan 发表于 2021-11-13 18:51 | 显示全部楼层
你可能看错了,下面的或非门上面的输入脚状态应该为1
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 18:53 | 显示全部楼层
为什么为1,我是倒着推导的,N-BUFFER若要导通,则或非门应该输出高电平,那么或非门的两个输入应该都是低电平。
yinxiangh 发表于 2021-11-13 18:55 | 显示全部楼层
N-BUFFER 下面的那个门只能在输出0时才导通
chenjunt 发表于 2021-11-13 18:57 | 显示全部楼层
你的理解有问题
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 18:59 | 显示全部楼层
为什么是0时导通,手册哪里有介绍到吗?大神求指点
xxrs 发表于 2021-11-13 19:01 | 显示全部楼层
说句实话,如果不是要设计IC,看这个真的没用。连“华而不实”都说不上。如果你是要设计芯片,这个看不懂,建议你先学学别的基础的东西,等你基础扎实了再回来想想这个问题。
yinxiangh 发表于 2021-11-13 19:03 | 显示全部楼层
首先,这个线(你说矛盾的线)的电平是受ODR寄存器控制的。要输出低时,ODR线就是低,要输出高时,ODR线就是高。
chenjunt 发表于 2021-11-13 19:05 | 显示全部楼层
这样,上面的与非门一定输出高至P-BUFFER的栅极。下面的或非门也是一定输出高到N-BUFFER的栅极
ousj 发表于 2021-11-13 19:09 | 显示全部楼层

什么是漏极开路(OD)?
估计你还没理解
xxmmi 发表于 2021-11-13 19:11 | 显示全部楼层
N-BUFFER导通。P-BUFFER截止,输出端低电平。
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 19:13 | 显示全部楼层
我知道这个矛盾线是受前面的ODR寄存器控制,但是我现在是根据后端想要实现结果倒着推导的,我后端想要的结果是io推挽输出低,那么就要N-BUFFER导通。P-BUFFER截止(这点你的回答中你也提到了);那么上面的与非门一定输出高至P-BUFFER的栅极,下面的或非门也是一定输出高到N-BUFFER的栅极(这点你的回答中你也提到了);那么最后推导到那根矛盾线上就有问题了呀?
zwll 发表于 2021-11-13 19:15 | 显示全部楼层
renyaq 发表于 2021-11-13 19:18 | 显示全部楼层
直接通过USB口不行的,调试器没有和串口连接,这个系列都是这样
zwll 发表于 2021-11-13 19:19 | 显示全部楼层
这是抠出输出部分的仿真示意图及其各点波形。没有矛盾之处
ousj 发表于 2021-11-13 19:23 | 显示全部楼层
pmosfet前面不是有个非门吗,难道那个不是非门?
yszong 发表于 2021-11-13 19:25 | 显示全部楼层
你说栅极那个圆圈吗? 他是表示低电平导通的沟道。其实就是指PMOS
 楼主| happy_10 发表于 2021-11-13 19:27 | 显示全部楼层

原来如此,那问题解决了
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