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何谓总栅极电荷(Qg)?

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qbwww|  楼主 | 2021-11-14 09:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
总栅极电荷(Qg)是指为导通(驱动)MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。有时也称为栅极总电荷。"

单位为库仑(C),总栅极电荷值较大,则导通MOSFET所需的电容充电时间变长,开关损耗增加。数值越小,开关损耗(切换损耗)越小,从而可实现高速开关。

总栅极电荷和导通电阻

如上所述,总栅极电荷的值越小,开关损耗越小。而且,导通电阻值越小,工作时的功耗越小。

然而,总栅极电荷和导通电阻的特性处于权衡关系。

通常,MOSFET的芯片尺寸(表面积)越小,总电荷量越小,但导通电阻值会变大。

换句话说,开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系。

动态输入特性



【动态输入特性】

该图为动态输入(Qg –VGS)的特性例。

在图中,常温下的漏极侧电源电压(VDD )和漏极电流(ID )是固定特性, VDD = 300 V , ID = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 (VGS ) 为6.5V。

实际上是在MOSFET完全导通的情况下,调整有权衡关系的导通电阻值,从而设定栅源电压(VGS ) 。

此时,可从图表读取设定电压和总栅极电荷(Qg)(例如, VGS =  10 V 时为85nC , VGS = 15V 时为 130nC )。

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沙发
qbwww|  楼主 | 2021-11-14 09:11 | 只看该作者
常温下的漏极侧电源电压(VDD )和漏极电流(ID )是固定特性, VDD = 300 V , ID = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 (VGS ) 为6.5V。

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板凳
段宁| | 2021-11-14 21:43 | 只看该作者
kankan

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地板
令狐广| | 2021-11-14 21:44 | 只看该作者
好资料,感谢分享!!!!!

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5
上官武| | 2021-11-14 21:44 | 只看该作者
谢谢分享学习了

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Reynolds| | 2021-11-14 21:44 | 只看该作者
thank you for your share

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7
桂维| | 2021-11-14 21:45 | 只看该作者
收藏一下

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8
井古| | 2021-11-14 21:46 | 只看该作者
很好的资料

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9
加西亚| | 2021-11-14 21:46 | 只看该作者
看样子确实不错,谢谢分享

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10
Wilmot| | 2021-11-14 21:47 | 只看该作者
好东西,谢谢楼主分享

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蓝良工| | 2021-11-14 21:47 | 只看该作者
谢谢大佬讲解分享!

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Thodore| | 2021-11-14 21:47 | 只看该作者
好**哦

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