MOS管及其外围电路设计

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dg_huangzh|  楼主 | 2021-11-24 16:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS管及其外围电路设计
1.栅极驱动部分
常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动电路(如驱动电阻阻值的计算,驱动芯片的选型等等)。 注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。 注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三个电容的影响至关重要。

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王栋春 2021-11-24 21:56 回复TA
楼主将图片上传后会更好,想复习一下。 

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