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[电源电路]

半桥MOS管驱动

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pengxiangbo00|  楼主 | 2021-11-30 13:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位大拿,之前看过半桥驱动芯片外围都加了一些自举电容才能驱动高边MOS管电压,最近看了一份图纸,MOS管驱动没有加自举电容,直接栅极隔离12V驱动,上管MOS D极接200V,这种设计不加自举电容,能驱动NMOS管吗

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Siderlee| | 2021-12-12 20:48 | 只看该作者
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NK6108| | 2021-12-13 19:07 | 只看该作者
隔离式驱动,受控点是 栅源两极,跟 漏极 无关。

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NK6108 2021-12-13 19:23 回复TA
漏极电压跟栅极电位 从来就不相干。 
NK6108 2021-12-13 19:09 回复TA
源极电位 也无关,那就甭自举了。 
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NK6108| | 2021-12-13 19:19 | 只看该作者
NK6108 发表于 2021-12-13 19:07
隔离式驱动,受控点是 栅源两极,跟 漏极 无关。

因 栅源两极 皆受控,所以,Ugs 跟源极电位 无关 !

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