82G516在3.3V下能否实现掉电存参数到内部flash的功能？

发表于 2021-12-2 23:25

LZ需要根据您的系统以及电源部分参照施行。

发表于 2021-12-2 23:26

这个应该是最简单的了吧？

登录 · 发表于 2021-12-2 23:29

发表于 2021-12-2 23:30

此方案不可靠;除非失败的后果影响不大;

发表于 2021-12-2 23:33

重要的数据要实时保存;无论是否掉电;

发表于 2021-12-2 23:36

供电要有比较大的电容，这样掉电下降的没那么快。检测掉电应该测试电源入口。
比如你5V转3.3V的供电，你测试5V输入低于4V就开始做掉电处理了。这时候你的3.3V芯片还能工作一下子。

耗电的东西不要与主控芯片电路共电源。

发表于 2021-12-2 23:38

MCU内部的flash写入次数是有寿命的, 以82G516的规格来说是2万次, 假如经常有资料要写入是要考虑寿命问题.

发表于 2021-12-2 23:39

没太了解过这个理论上应该是可以的吧

发表于 2021-12-2 23:41

好的，我明天去单位试一下，多谢各位大侠了哈