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NAND只读会产生坏块吗

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aple0807|  楼主 | 2021-12-7 12:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 aple0807 于 2021-12-7 13:02 编辑

单论工业级SLC：
NAND FLASH正确写入数据后，在其生命周期内只读不写，会产生坏块或者丢失数据吗？

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相关下载
沙发
ayb_ice| | 2021-12-7 13:05 | 只看该作者
应该不会的

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板凳
cool_coder| | 2021-12-7 21:26 | 只看该作者
闪存中存储的数据是会挥发的。所以，坏块不一定会有，丢失数据是有可能的。

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地板
trucyw| | 2021-12-7 21:49 | 只看该作者
坏块一定会有的

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5楼
coody| | 2021-12-8 12:03 | 只看该作者
在其数据保持时间内，不会有坏块。

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6楼
数码小叶| | 2021-12-8 14:08 | 只看该作者
貌似不区分读写吧？？

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7楼
aple0807|  楼主 | 2021-12-9 13:47 | 只看该作者
数码小叶 发表于 2021-12-8 14:08
貌似不区分读写吧？？

擦/写会产品坏块，可以直接检测出来重写。 数据生命周期内，如果读也会产生坏块，坏块管理似乎就难以实现，数据已经坏掉无法修复，copy到其他块也没有意义。

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8楼
aple0807|  楼主 | 2021-12-9 13:49 | 只看该作者
coody 发表于 2021-12-8 12:03
在其数据保持时间内，不会有坏块。

我现在也是这么理解的，但没有看到哪里有资料具体说明，芯片数据手册也没有体现。

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9楼
coody| | 2021-12-10 14:02 | 只看该作者
aple0807 发表于 2021-12-9 13:49
我现在也是这么理解的，但没有看到哪里有资料具体说明，芯片数据手册也没有体现。 ...

一般有数据保持时间的参数，比如20年。

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10楼
lvyunhua| | 2021-12-10 14:08 | 只看该作者
不会的 ，但是读时序按照芯片要求来操作

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11楼
weiwei4dk| | 2021-12-10 14:47 | 只看该作者
应该不会

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12楼
lu50211| | 2021-12-11 08:47 | 只看该作者
就这问题有咨询过原厂，给出的答案是会坏。不过次数到底是多少，给出的答案是运气好的可以在芯片损坏以前复原出来。总之不知道是否正确。

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