PMOS管DS短路

只看该作者 · 2021-12-16 17:07

PMOS管DS短路，一般应用时工作没问题，当输出功率大的时候很容易造成DS短路，谁知道电路哪里有问题吗？输入电压是24V，

只看该作者 · 2021-12-16 17:24

你这电路太高级，不懂

1万 · 2021-12-16 18:34

驱动电路速度不够，明显设计错误
开关瞬间导致EAS 超标，热击穿MOSFET

1万 · 2021-12-16 19:05

明显开关速度太慢

1万 · 2021-12-16 19:10

对比此电路开关速度，明显快，开关损耗低

1万 · 2021-12-17 09:02

xch 发表于 2021-12-16 19:10
对比此电路开关速度，明显快，开关损耗低

如果负载有大电容，开通太快瞬间电流太大似乎又会烧，请问有什么好办法

只看该作者 · 2021-12-17 10:11

换大颗的MOS

1万 · 2021-12-17 10:17

lfc315 发表于 2021-12-17 09:02
如果负载有大电容，开通太快瞬间电流太大似乎又会烧，请问有什么好办法 ...

找一个 EAS >> 0.5CV^2 的MOSFET .

只看该作者 · 2021-12-17 10:54

xch 发表于 2021-12-16 18:34
驱动电路速度不够，明显设计错误
开关瞬间导致EAS 超标，热击穿MOSFET

是不是把R8的阻值改小就可以提高驱动速度

1万 · 2021-12-17 12:46

tanke16888 发表于 2021-12-17 10:54
是不是把R8的阻值改小就可以提高驱动速度

R8 改成1k后的波形：

R8为10k的原始波形：

没明显区别

1万 · 2021-12-17 12:50

tanke16888 发表于 2021-12-17 10:54
是不是把R8的阻值改小就可以提高驱动速度

将画蛇添足的电容去掉，效果明显

1万 · 2021-12-17 12:52

但是将驱动频率提高到5khz，相当于水平轴放大10倍，还是可以看到明显不足：

1万 · 2021-12-17 13:01

tanke16888 发表于 2021-12-17 10:54
是不是把R8的阻值改小就可以提高驱动速度

你得做个作业：

如图，初始C1 两端电压为0V，电源电压100V，问开关导通后C1 两端电压达到100V 时开关损耗多少能量？

有助于纠正你错误的认识。