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[电路/定理]

三极管基极发射极饱和压降的疑问

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楼主
xiaxingxing|  楼主 | 2021-12-16 20:13 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
AD, IO, TE, TI, emitter
图片是MMBT3904的一个曲线图，有以下4个疑问：
1. 图中的“Base-Emitter Saturation Voltage”是什么意思？和我们平时说的基极发射极压降有什么区别？

2. 从这个曲线图是否可以知道三极管处于饱和状态？

3. “Base-Emitter Saturation Voltage” 这个饱和电压和三极管处于饱和状态有啥关系不？

4. 三极管的饱和判断唯一条件不是看Vce是否小于等于0.2V（或者一个很小的零点几伏电压）吗？

谢谢各位！

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沙发
caoenq| | 2021-12-17 08:59 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-16 21:29
知己知彼。

请教大佬：这个时候三极管是处于放大状态的（β=10），Vbe为何称之为饱和压降？

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板凳
HWM| | 2021-12-17 09:33 | 只看该作者
caoenq 发表于 2021-12-17 08:59
请教大佬：这个时候三极管是处于放大状态的（β=10），Vbe为何称之为饱和压降？ ...

这是电流放大倍数β降至10时的Vbe~Ic关系。

通常，β降至10可以认为是BJT饱和，所以相关特性称之为饱和特性。

BJT的饱和原理性表征是Vce小于Vbe（集电结正偏），这有别于那个“β降至10”。BJT“饱和”可以从不同角度刻画，虽然不同角度结论会有不同，但大方向一致。

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地板
NK6108| | 2021-12-18 18:30 | 只看该作者
饱和状态，Vce＜Vbe ，
饱和压降，小于 0.7V 才合格。

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5楼
caoenq| | 2021-12-22 08:37 | 只看该作者
HWM 发表于 2021-12-17 09:33
这是电流放大倍数β降至10时的Vbe~Ic关系。

通常，β降至10可以认为是BJT饱和，所以相关特性称之为饱和 ...

感谢大师指点迷津。

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6楼
caoenq| | 2021-12-22 08:38 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-17 13:15
电流放大率由正常非飽和的hFE倍，轻微飽和时电流放大率已经小于hFE，这里是大幅降低到10倍之时的飽和特性 ...

感谢赐教。

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7楼
caoenq| | 2021-12-23 08:45 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-23 07:53
在Vce=0.2v时电流放大倍数減半。记住这个通则即可。

您的意思是当Vce=0.2V时，放大倍数降到1半？我的印象里Vce是0.2V时，已经深度饱和了

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8楼
caoenq| | 2021-12-23 09:35 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-23 09:06
0.2V还没深度，0.15V以下才有深度。以0.2V而0.5*hFE来评估适用于大多数晶体管。
2N3904中规格书中正常hFE ...

非常感谢您，本人受益良多。

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9楼
xiaxingxing|  楼主 | 2021-12-25 16:36 | 只看该作者
HWM 发表于 2021-12-17 09:33
这是电流放大倍数β降至10时的Vbe~Ic关系。

通常，β降至10可以认为是BJT饱和，所以相关特性称之为饱和 ...

感谢大佬指点，解释的很详细。谢谢！

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10楼
xiaxingxing|  楼主 | 2021-12-25 16:38 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-23 09:06
0.2V还没深度，0.15V以下才有深度。以0.2V而0.5*hFE来评估适用于大多数晶体管。
2N3904中规格书中正常hFE ...

老哥，明白了，谢谢！

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11楼
xiaxingxing|  楼主 | 2021-12-25 16:40 | 只看该作者
NK6108 发表于 2021-12-18 18:30
饱和状态，Vce＜Vbe ，
饱和压降，小于 0.7V 才合格。

明白了，谢谢大佬！

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12楼
NK6108| | 2021-12-25 17:56 | 只看该作者
king5555 发表于 2021-12-23 09:06
0.2V还没深度，0.15V以下才有深度。以0.2V而0.5*hFE来评估适用于大多数晶体管。
2N3904中规格书中正常hFE ...

某些大功率BJT的 β 离 10 不远，还是 β/n 对头，
大功率BJT 饱和压降 0.2V 那么低的不多，功率愈大，愈难做到 ！

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