P-MOSFET的电流方向和S、D极性的请教

登录 · 发表于 2012-3-21 23:20

如下图，是portable DVD电源切换电路（Vin是9V的插座电源输入，P＋是电池的输入）基本功能实现： 1）当插座电源插入时，FDS4435截至，电流从Vin输出给DVDout； 2）当插座电源拔出时，FDS4435导通，电流从P＋输出给DVDout；但是我学到的理论知识是：对于P－MOSFET，我们应该给S加正电压，让电流从S流向D；而且MOSFET的S和衬底是相连，因此MOSFET不可以象JFET那样，S和D是可以互换的；（在spec，我们也可以看到S和衬底是相连的）因此这个电路我就不理解了（实际上这个电流是人家的生产用的电路，是可以正常工作的）请问，大大们，对于这个电路（是否会有隐患）或是MOSFET的S、D极性有什么高见》请教ing！！谢谢！！

发表于 2012-3-22 00:16

对于P－MOSFET，我们应该给S加正电压，让电流从S流向D

基本原理搞错了

只需要栅源极电压差大于Vth（对于P管是小于Vth），管它DS电压如何，MOSGET都导通

发表于 2012-3-22 09:09

LS正解。
LZ的电路是对的，图中S、D极性也是对的。

不考虑衬底的接法是，从导通原理上来说，MOS管的S和D是可以互换的，对于PMOS，S和D两个引脚电位高者充当S，只要G低于S脚超过Vth，则导通沟道建立，电流就会从电位高的流向电位低的，相当于开关接通；而当S和D反过来加电时（D高于S），则D脚相当于S，只要G脚低于D脚超过Vth，导通沟道也会建立，电流就会从电位高的流向电位低的。所以只要G脚电位沟底，S和D脚就会相当于双向接通的。

发表于 2012-3-22 09:29

1楼的电路原理：
当输入电压超过（P+）-0.7V-Vth时，G脚不管是对S脚还是对D脚，压差都不足Vth，所以MOS管的SD不导通，SD没电流。同时衬底的寄生二极管也是反偏截止的，也没有电流。所以Vin插上电后电池是断开的；

当电源断开时，输入电压不足（P+）-0.7V-Vth时，G脚对对D脚的压差大于Vth，所以MOS管的D→S导通，电流可以从D流向S，相当于电池直接接通到DVI；
在此之前，在G脚电位下降到（P+）-0.7V-Vth之前MOS管还未导通时，当DVI低于（P+）0.7V时，MOS管的寄生二极管也能提供电池供电通道，但有一定的压降；当G脚电位下降到低于（P+）-0.7V-Vth之后时，MOS管D→S完全导通，压降就很小了，电池电压可以完全加给负载，比用二极管的方式电池利用率更高。

由于衬底的原因，MOS管都有个寄生二极管，所以虽然导通原理上来说MOS管的S和D是可以互换的，但实际中SD是不能乱接的。1楼图中的接法是对的。

MOS管DS反向应用的另一普遍应用是同步整流，同样也是导通时电流从和寄生二极管一样方向流动的（PMOS为D→S，NMOS为S→D）。

发表于 2012-3-22 14:01

4# xwj

发表于 2012-3-22 14:14

4# xwj
请问一下。当VIN输入电路时，Pmos截止状态，但是由于寄生二极管的作用，P+会不会通过此寄生二极管使DVI产生电压？？？谢谢

发表于 2012-3-22 14:21

VIN输入大于电池电压啊，寄生二极管反偏截止的

发表于 2012-3-22 23:15

7# xwj

请问一下怎么找到此类的p mos：导通时Vds较小，Vgs（th）阀值也较小的p mos管

发表于 2012-3-22 23:15

7# xwj

封装是sot23的。

发表于 2012-3-23 12:42

楼上
2301
3401
之类

发表于 2012-10-25 17:01

分析得很对。学习了。 4# xwj

发表于 2012-10-28 20:45

这里分析是否有点问题，当输入电压超过（P+）-0.7V-Vth时，G脚不管是对S脚还是对D脚，压差都不足Vth，所以MOS管的SD不导通，这里是否应该是:输入电压超过（P+）+0.7V+Vth

发表于 2012-11-4 18:53

那这边的导通电流是由什么来控制的呢？？？ 4# xwj

登录 · 发表于 2012-11-5 00:05

这个图与楼主提出的图有相似之处。
目前我改变G点电压 S极就有电流流过D极
大伙可以说说这个图啊

发表于 2012-11-5 00:12

如上图加这二极管是啥作用。

发表于 2013-6-16 11:52

楼主有电池充电电路吗，能不能参考学习一下

发表于 2013-6-16 22:15

xwj 发表于 2012-3-22 09:09
LS正解。
LZ的电路是对的，图中S、D极性也是对的。

按照你的这个说法的话，不知道我可不可以这样理解了，也是就是说，不管PMOS还是NMOS，只要Vgs电压满足阈值条件，DS就会导通，关于DS之间的电流方向，并没有规定，比如PMOS按数据手册的话，应该是S流向D，但是，假如实际上我在D端加的的电位比S高的话电流i是会从D流向S的是吧，事实上，这样的电路我也实际验证过，是可以工作的。那么也就是不存在严格意义上的D和S极了。之所以要在手册上标注DS极主要是考虑到内部的体二极管的方向是确定的。

发表于 2013-6-18 15:48

**kfu 发表于 2013-6-16 22:15
按照你的这个说法的话，不知道我可不可以这样理解了，也是就是说，不管PMOS还是NMOS，只要Vgs电压满足阈 ...

对于低电压应用可以这样理解。

但对于高电压的应用，则不能乱用DS。
在生产工艺上，MOS管的GS间耐压值有限（看手册），要是你给GS间加个几十V的话就GS击穿损坏了

发表于 2013-10-31 08:27

对于这个问题，如果没遇到过，还是真实没有讲过。书上写的很不全啊，没用的居多。

发表于 2013-10-31 08:41

我觉得这个应用是个特例吧。

一般情况下还是把PMOS的S极接电源电压。要不然体二极管就直接导通了。

P-MOSFET的电流方向和S、D极性的请教

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