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P-MOSFET的电流方向和S、D极性的请教

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楼主
ghwcxh|  楼主 | 2012-3-21 23:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如下图,是portable DVD电源切换电路(Vin是9V的插座电源输入,P+是电池的输入)基本功能实现: 1)当插座电源插入时,FDS4435截至,电流从Vin输出给DVDout; 2)当插座电源拔出时,FDS4435导通,电流从P+输出给DVDout; 但是我学到的理论知识是:对于P-MOSFET,我们应该给S加正电压,让电流从S流向D;而且MOSFET的S和衬底是相连,因此MOSFET不可以象JFET那样,S和D是可以互换的;(在spec,我们也可以看到S和衬底是相连的) 因此这个电路我就不理解了(实际上这个电流是人家的生产用的电路,是可以正常工作的) 请问,大大们,对于这个电路(是否会有隐患)或是MOSFET的S、D极性有什么高见》 请教ing!! 谢谢!!

未命名.JPG (21.71 KB )

未命名.JPG

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沙发
qczq| | 2012-3-22 00:16 | 只看该作者
对于P-MOSFET,我们应该给S加正电压,让电流从S流向D


基本原理搞错了

只需要栅源极电压差大于Vth(对于P管是小于Vth),管它DS电压如何,MOSGET都导通

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板凳
xwj| | 2012-3-22 09:09 | 只看该作者
LS正解。
LZ的电路是对的,图中S、D极性也是对的。

不考虑衬底的接法是,从导通原理上来说,MOS管的S和D是可以互换的,对于PMOS,S和D两个引脚电位高者充当S,只要G低于S脚超过Vth,则导通沟道建立,电流就会从电位高的流向电位低的,相当于开关接通;而当S和D反过来加电时(D高于S),则D脚相当于S,只要G脚低于D脚超过Vth,导通沟道也会建立,电流就会从电位高的流向电位低的。所以只要G脚电位沟底,S和D脚就会相当于双向接通的。

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地板
xwj| | 2012-3-22 09:29 | 只看该作者
1楼的电路原理:
当输入电压超过(P+)-0.7V-Vth时,G脚不管是对S脚还是对D脚,压差都不足Vth,所以MOS管的SD不导通,SD没电流。同时衬底的寄生二极管也是反偏截止的,也没有电流。所以Vin插上电后电池是断开的;

当电源断开时,输入电压不足(P+)-0.7V-Vth时,G脚对对D脚的压差大于Vth,所以MOS管的D→S导通,电流可以从D流向S,相当于电池直接接通到DVI;
在此之前,在G脚电位下降到(P+)-0.7V-Vth之前MOS管还未导通时,当DVI低于(P+)0.7V时,MOS管的寄生二极管也能提供电池供电通道,但有一定的压降;当G脚电位下降到低于(P+)-0.7V-Vth之后时,MOS管D→S完全导通,压降就很小了,电池电压可以完全加给负载,比用二极管的方式电池利用率更高。

由于衬底的原因,MOS管都有个寄生二极管,所以虽然导通原理上来说MOS管的S和D是可以互换的,但实际中SD是不能乱接的。1楼图中的接法是对的。


MOS管DS反向应用的另一普遍应用是同步整流,同样也是导通时电流从和寄生二极管一样方向流动的(PMOS为D→S,NMOS为S→D)。

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5
ghwcxh|  楼主 | 2012-3-22 14:01 | 只看该作者
4# xwj

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6
ghwcxh|  楼主 | 2012-3-22 14:14 | 只看该作者
4# xwj
请问一下。当VIN输入电路时,Pmos截止状态,但是由于寄生二极管的作用,P+会不会通过此寄生二极管使DVI产生电压???谢谢

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7
xwj| | 2012-3-22 14:21 | 只看该作者
VIN输入大于电池电压啊,寄生二极管反偏截止的

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8
ghwcxh|  楼主 | 2012-3-22 23:15 | 只看该作者
7# xwj

请问一下怎么找到此类的p mos: 导通时Vds较小,Vgs(th)阀值也较小的p mos管

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9
ghwcxh|  楼主 | 2012-3-22 23:15 | 只看该作者
7# xwj

封装是sot23的。

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10
lyjian| | 2012-3-23 12:42 | 只看该作者
楼上
2301
3401
之类

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11
cnscgyl| | 2012-10-25 17:01 | 只看该作者
分析得很对。学习了。 4# xwj

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12
cfqz11234| | 2012-10-28 20:45 | 只看该作者
这里分析是否有点问题,当输入电压超过(P+)-0.7V-Vth时,G脚不管是对S脚还是对D脚,压差都不足Vth,所以MOS管的SD不导通,这里是否应该是:输入电压超过(P+)+0.7V+Vth

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13
cfqz11234| | 2012-11-4 18:53 | 只看该作者
那这边的导通电流是由什么来控制的呢??? 4# xwj

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14
qingtian1231| | 2012-11-5 00:05 | 只看该作者

这个图与楼主提出的图有相似之处。
目前我改变G点电压   S极 就有电流流过D极
大伙可以说说这个图啊

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15
qingtian1231| | 2012-11-5 00:12 | 只看该作者
如上图加这二极管 是啥作用。

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16
玩转单片机| | 2013-6-16 11:52 | 只看该作者
楼主有电池充电电路吗,能不能参考学习一下

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17
logokfu| | 2013-6-16 22:15 | 只看该作者
xwj 发表于 2012-3-22 09:09
LS正解。
LZ的电路是对的,图中S、D极性也是对的。

按照你的这个说法的话,不知道我可不可以这样理解了,也是就是说,不管PMOS还是NMOS,只要Vgs电压满足阈值条件,DS就会导通,关于DS之间的电流方向,并没有规定,比如PMOS按数据手册的话,应该是S流向D,但是,假如实际上我在D端加的的电位比S高的话电流i是会从D流向S的是吧,事实上,这样的电路我也实际验证过,是可以工作的。那么也就是不存在严格意义上的D和S极了。之所以要在手册上标注DS极主要是考虑到内部的体二极管的方向是确定的。

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18
xwj| | 2013-6-18 15:48 | 只看该作者
**kfu 发表于 2013-6-16 22:15
按照你的这个说法的话,不知道我可不可以这样理解了,也是就是说,不管PMOS还是NMOS,只要Vgs电压满足阈 ...

对于低电压应用可以这样理解。

但对于高电压的应用,则不能乱用DS。
在生产工艺上,MOS管的GS间耐压值有限(看手册),要是你给GS间加个几十V的话就GS击穿损坏了

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19
gcweso| | 2013-10-31 08:27 | 只看该作者
对于这个问题,如果没遇到过,还是真实没有讲过。书上写的很不全啊,没用的居多。

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20
LAORUAN| | 2013-10-31 08:41 | 只看该作者
我觉得这个应用是个特例吧。

一般情况下还是把PMOS的S极接电源电压。要不然体二极管就直接导通了。

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