ARK: 最低导通电阻的双芯片P沟道功率MOSFET—AKF20P45D
双芯片20VP沟道功率MOSFET—AKF20P45D。新器件采用紧凑的DFN2X2封装，不仅有优秀的散热能力，还具有业界最低的导通电阻：在4.5V栅源电压下提供35mΩ超低导通电阻。同时该器件还有非常高的可靠性，能达到至少 2500V的ESD保护能力。 AKF20P45D在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。性能达到并超过Vishay公司的SiA923EDJ，可以在光模块、智能仪器仪表等领域替代进口器件。也可用于智能手机、充电器、锂电池保护等。更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而节省电能提高能效，并延长两次充电之间的电池 寿命。 新款双芯片P沟道功率MOSFET：AKF20P45D现可提供样品，目前已实现量产，交货周期为十四周到十六周。 http://www.ark-micro.com
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