请教一下，目前我们有用STM32G0B1VE系列的芯片，由于应用需求，在机器开机时，会有大约2个page的flash操作。但是在做上下电测试时，经常会发现，在测试的过程中，会造成整台机器变成砖头，断电重启无法恢复。 经过一系列的排查，应该是由于在上下电的过程中，Flash数据更新的过程中，造成ECC未写入，造成最终读Flash时，ECC错误，造成了NMI中断。。 由于G系列比较新，我们只是搜到了一片CSDN上的老兄有遇到过相同的情况。 https://blog.csdn.net/qq_29083043/article/details/107891658 发这个帖子，一来感谢下这位仁兄。。二来还是想确认下，除了将Flash擦除，重写之外，是否还有其他解决的方式？
另外，查看芯片手册，针对FLASH_ECCR的描述，似乎有误。。 在手册里，针对FLASH_ECCR->ADDR_ECC的描述，应该是该地址乘以8，应该就是Flash ECC错误的地方。但是ADDR_ECC只有14bit，乘以8也就17bit，总共为128KB。 但是我们用的G0B1VE是两个Bank， 每个Bank为256KB，所以，文档这里是否描述有误？个人觉得，手册是不是针对128KB/Bank的型号所做的？
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