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GD32F450的flash擦除问题

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楼主
我是个新手111|  楼主 | 2022-1-10 15:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, GD32F450, 128, gd32f1, 代码, 函数
GD32F4的芯片flash擦除最小为扇区，四个16KB，一个64KB，其余全部为128KB.没有页擦除操作。有谁自己写过flash的页擦除函数么，没有页擦除，操作64kb或者128kb区域的代码就很不方便，自己仿照GD32F1的页擦除写了一个，但发现擦除没有效果。有没有什么建议

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沙发
sagade| | 2022-1-12 15:22 | 只看该作者
看手册450貌似只有扇区和块的概念，反正我是擦除多个扇区这样操作的。

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板凳
tpgf| | 2022-2-4 17:09 | 只看该作者
没有页擦除吧

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地板
paotangsan| | 2022-2-4 17:15 | 只看该作者
其实就是多操作几次的  

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5楼
renzheshengui| | 2022-2-4 17:23 | 只看该作者
擦除flash是不是速度比较慢 啊

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6楼
wakayi| | 2022-2-4 17:29 | 只看该作者
一次擦除很多和来回擦除好几次 耗时是一样的吗

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7楼
wowu| | 2022-2-4 17:39 | 只看该作者
这个还真不好说  可以实测一下

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8楼
xiaoqizi| | 2022-2-4 17:51 | 只看该作者
我觉得肯定一次擦除耗时短 但是也没有太大的优势

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9楼
match007| | 2022-2-8 17:27 | 只看该作者
这还不方便？我倒是喜欢擦除单位越小越好

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10楼
sumosumo| | 2022-2-9 16:16 | 只看该作者
这么大的擦除单位很不好用啊，要更新一些用户数据时，需要读出旧数据，耗费的RAM就不是一个小数目

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11楼
wangkl11| | 2023-10-9 11:41 | 只看该作者
我连续擦除多个扇区死机  有没有大佬分析一下的       /* wait the erase operation complete*/
                        for (sector_num = 0; sector_num < 5; sector_num++)
                        {
                                ram_fmc_state = ram_fmc_sector_erase(CTL_SN(sector_num));
       
                                fmc_flag_clear(FMC_FLAG_END | FMC_FLAG_OPERR | FMC_FLAG_WPERR | FMC_FLAG_PGMERR | FMC_FLAG_PGSERR);
                                if(ram_fmc_state!=FMC_READY)
                                {
                                        while(1);
                                       
                                }
                        }

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