回忆学习米勒效应

只看该作者 · 2022-1-11 10:57

本帖最后由 shaler 于 2022-1-11 10:59 编辑

在学校学习时，讲的是电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数.但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改是放大器的放大，C是反馈电容。密勒效应是米勒定理的一个特殊情况。

[size=17.9982px]MOS管g、d的极间电容在开关动作期间引起的瞬态效应，[size=17.9982px]可以看成是一个电容的负反馈。

[size=18.768px]因为MOS管制造工艺，米勒电容必定存在，所以米勒效应不可避免。[size=18.768px]MOS管的开启可以看做是输入电压通过栅极电阻对寄生电容的充电过程，R越小，Cgs充电越快，MOS管开启就越快，减小栅极电阻则米勒平台有所改善。
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由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。在MOS开通前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，理论上在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。