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如何防止DC/DC的冲击电流

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wanwenhao1| | 2022-2-14 22:32 | 显示全部楼层
NTC需要发热才能降低压降,损失电能,不行。

电容前加个MOS管,让其上电后缓慢开通至全开,是有些复杂,但你有这个要求,也就只能接受其复杂。

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jrcsh| | 2022-2-15 03:00 | 显示全部楼层
10几块钱 的热拔叉IC~~~~ 上么

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ee168|  楼主 | 2022-2-15 07:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 ee168 于 2022-2-15 07:08 编辑

用配电芯片,这些芯片放在电容之前,并且有EN脚可以延时启动,元件也比较少,可以满足功能,但是这些芯片都是耐压5V的,有什么型号耐压高一点的吗?

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ASHYLAI| | 2022-2-15 07:13 | 显示全部楼层
大佬都沉默了。

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QuakeGod| | 2022-2-15 08:00 | 显示全部楼层
wanwenhao1 发表于 2022-2-14 22:32
NTC需要发热才能降低压降,损失电能,不行。

电容前加个MOS管,让其上电后缓慢开通至全开,是有些复杂,但 ...

你前面不管加什么东西,都会发热损失电能,
而且发热量跟你选什么东西没关系,只跟大电容容量有关。

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hjl2832| | 2022-2-15 08:43 | 显示全部楼层
楼主可参考开关电源的电路,在输入滤波的大电解电容上串联一个小阻值的电阻,限制电容的瞬间大电流。缺点是增大了电容的等效电阻。

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yueguang3048| | 2022-2-15 09:11 | 显示全部楼层
参考6楼  即前面的输入电容选择ESR大的电解电容。

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mailshichao| | 2022-2-15 09:28 | 显示全部楼层
参考6楼,在输入端串口电阻,再用继电器或者mos管在上电后延时短路电阻

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lfc315| | 2022-2-15 09:57 | 显示全部楼层
好办法就是插好再通电
不错的办法是MOS管逐渐导通,也就4个元件。

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六方晶碳 2022-2-15 11:09 回复TA
对!一只MOS,2只电阻,一只电容 
wanwenhao1| | 2022-2-16 21:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 wanwenhao1 于 2022-2-16 21:25 编辑
QuakeGod 发表于 2022-2-15 08:00
你前面不管加什么东西,都会发热损失电能,
而且发热量跟你选什么东西没关系,只跟大电容容量有关。

NTC需要长期发热,保持高温才能保证低阻状态,MOS管只在上电的几秒钟时间因处于线性的过渡状态而发热(MOS管完全导通后内阻极小,基本不再发热)。你认为两者的发热量能同日而语吗!
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wanwenhao1 2022-2-21 09:34 回复TA
@QuakeGod :图中并未标注轴的量化指标,只作为定性分析用。大容量的电容器启动瞬间确实等于短路状态,但是启动瞬间电源输出电压极低,所以冲击电流虽然比纯电阻大,还是能被大幅度削弱的。相同情况下,可以设计软启动的时间更长,也基本能达到如同纯电阻电路那种启动曲线。 
QuakeGod 2022-2-21 09:07 回复TA
看来你根本没搞清楚状况。你那个图是阻性负载软起动的图,根本没考虑输入大容量电容的问题。 加上大容量输入电容后,启动电流远超额定电流,所以才会产生火花。 楼主的电路后面负载不需要软起动,只需要解决插头打火花的问题。 所以软起动时间亚秒级即可,这段时间,只需要考虑输入电容的影响。 一般启动的时候的冲击电流远大于正常工作的额定电流。 
ee168|  楼主 | 2022-2-19 19:15 | 显示全部楼层
有谁考虑过用晶闸管来实现没有?
它比MOS管便宜,也好控制,当然MOS管功耗更小,但是,晶闸管有单向导电特性,平时我们设计电路时防止反向电压,特意在前面加个二极管
不知道有什么其它缺点?有谁测试过没有?

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ee168|  楼主 | 2022-2-19 19:32 | 显示全部楼层
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chunyang 2022-2-28 18:51 回复TA
功能上可以实现,但问题是可控硅的导通压降太高,且一直存在,这个损耗可太不值得了,故此方案事实上不可取。 
wanwenhao1 2022-2-20 09:58 回复TA
楼主要求减小开机瞬间的冲击电流,可控硅达到这个目的吧。 
gx_huang| | 2022-2-20 18:33 | 显示全部楼层
LS这个可控硅的图,肯定不行

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gbchenyg| | 2022-2-23 17:57 | 显示全部楼层
我是加的MOS管,还没批量生产。
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mos延时

mos延时

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wanwenhao1 2022-2-28 21:41 回复TA
你这延时电路有问题,Pmos管的内部寄生二极管处于导通状态,整个电路上电即(通过寄生二极管)开通,无法实现延时功能。 将Pmod管S和D极反接,将延时用的C26、R30有关的电路放在电源输入端才正确吧。 
ee168|  楼主 | 2022-2-28 11:11 | 显示全部楼层
USB有延时启动的配电芯片,价格也不高,是不是用配电芯片好点

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chunyang| | 2022-2-28 18:49 | 显示全部楼层
有足够容量的滤波电容存在,电源芯片的延时启动自然无意义。非要解决的话,串电阻,再在电阻上并个低导通内阻的MOS管延时导通是功耗、成本等的最优方案。

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wanwenhao1 2022-3-1 16:56 回复TA
完全正确! 
chunyang| | 2022-2-28 18:55 | 显示全部楼层
用串电阻再并MOS管的方法在极限时可以省略掉电阻,直接MOS管延时导通控制。只是那样管子会存在浪涌冲击,需要注意规格的选择,免得留下可靠性隐患。

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wanwenhao1 2022-3-1 16:55 回复TA
@chunyang :你说的这个是正确的!即在串联电阻减小冲击电流的基础上,用MOS管并联在这个电阻上,延时将这个电阻短路。 
chunyang 2022-3-1 14:12 回复TA
@wanwenhao1 :如果串电阻(跟MOS管的关系是并联),MOS管的瞬态电流就会减小,电阻阻值越低冲击越小,但打火现象也会随之加重。 
chunyang 2022-3-1 14:07 回复TA
@wanwenhao1 :此贴里我表达的就是这个意思,此时存在浪涌冲击,而MOS管处于线性态,导通内阻较高,瞬态耗散功率较大,故需要注意选择管子的型号。 
wanwenhao1 2022-2-28 21:49 回复TA
楼主需要的不是MOS管延时导通,而是利用MOS管的放大状态作为过渡,让MOS管缓慢导通至最后完全导通,这个缓慢导通的过渡状态只要允许时间长一点(好几秒吧),完全可以避免大电容器充电的电流冲击。 
gbchenyg| | 2022-3-10 12:23 | 显示全部楼层
不知道你说的是这个二极管吗?
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