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京公网安备 11010802024343号
@QWE4562009 :指的是取消隔离二极管和自举电容,需三个电源,逻辑电源,VB,高边电源,VB-高边电源要大于VTH。
@zyj9490 :什么三个电源?
@zyj9490 :这上面不是有自举电容吗
@QWE4562009 :这样需要三个电源了。不合算。
@QWE4562009 :还是不行的,上管工作不正常,随上管开启越来越近电源,VGS严重不足,维持导通。只能给VB提供一个输出电源高一个VTH的电压才行。不然只能用自举电容模式。
@QWE4562009 :VB=输出电源,取消这个自举电容即可。
@QWE4562009 :vb不是个恒定值。VB-VS》VTH
@zyj9490 :那就是用隔离芯片把 VCC加在VB 也不行咯?必须用电容自举?
@QWE4562009 :可以找任何一款的MOS驱动器的内部等效电路查看下。就明白了。
@QWE4562009 :不行的,上管导通时,这个二极管起到隔离的作用,如输出电压为100V,VCC是5V,VB电压必须比中点高VT,通过电容的电何,提升的,这个叫自举电容。VB是100V与5V的脉冲波动。