三十一.如何编写C2000片内Flash？
DSP中的Flash的编写方法有三中：
1.通过仿真器编写：在我们的网页上有相关的软件，在销售仿真器时我们也提供相关软件。
其中LF240x的编写可以在CCS中加入一个插件，F24x的编写需要在windows98下的DOS窗中进
行。具体步骤见软件中的readme。有几点需要注意： a.必须为MC方式； b.F206的工作频率
必须为20MHz； c.F240需要根据PLL修改C240_CFG.I文件。建议外部时钟为20MHz。
d.LF240x也需要根据PLL修改文件。 d.如果编写有问题，可以用BFLWx.BAT修复。
2.提供串口编写：TI的网页上有相关软件。注意只能编写一次，因为编写程序会破坏串口通
信程序。
3.在你的程序中编写：TI的网页上有相关资料。
三十二.如何编写DSP外部的Flash？
DSP的外部Flash编写方法：
1.通过编程器编写：将OUT文件通过HEX转换程序转换为编程器可以接受的格式，再由编程器
编写。
2.通过DSP软件编写：您需要根据Flash的说明，编写Flash的编写程序，将应用程序和编写
Flash的程序分别load到RAM中，运行编写程序编写。
三十三.对于C5000，大于48K的程序如何BOOT？
对于C5000，片内的BOOT程序在上电后将数据区的内容，搬移到程序区的RAM中，因此FLASH
必须在RESET后放在数据区。由于C5000，数据区的空间有限，一次BOOT的程序不能对于48K
。解决的方法如下：
1.在RESET后，将FLASH译码在数据区，RAM放在程序区，片内BOOT程序将程序BOOT到RAM中。
2.用户初试化程序发出一个I/O命令（如XF），将FLASH译码到程序区的高地址。开放数据区
用于其它的RAM。
3.用户初试化程序中包括第二次BOOT程序（此程序必须用户自己编写），将FLASH中没有
BOOT的其它代码搬移到RAM中。
4.开始运行用户处理程序。
三十四.DSP外接存储器的控制方式
对于一般的存储器具有RD、WR和CS等控制信号，许多DSP（C3x、C5000）都没有控制信号直
接连接存储器，一般采用的方式如下：
1.CS有地址线和PS、DS或STRB译码产生；
2./RD=/STRB+/R/W； 3./WR=/STRB+R/W。
三十五.GEL文件的功能？
GEL文件的功能同emuinit.cmd的功能基本相同，用于初始化DSP。但它的功能比emuinit的功
能有所增强，GEL在CCS下有一个菜单，可以根据DSP的对象不同，设置不同的初始化程序。
以TMS320LF2407为例：
#define SCSR1 0x7018 ；定义scsr1寄存器
#define SCSR2 0X7019 ；定义scsr2寄存器
#define WDKEY 0x7025 ；定义wdkey寄存器
#define WDNTR 0x7029 ；定义wdntr寄存器
StartUp() ; 开始函数
{
GEL_MapReset(); ; 存储空间复位
GEL_MapAdd(0x0000,0,0x7fff,1,1); 定义程序空间从0000－7fff 可读写
GEL_MapAdd(0x8000,0,0x7000,1,1); 定义程序空间从8000－f000 可读写
GEL_MapAdd(0x0000,1,0x10000,1,1); 定义数据空间从0000－10000可读写
GEL_MapAdd(0xffff,2,1,1,1); 定义i/o 空间0xffff可读写
GEL_MapOn(); 存储空间打开
GEL_MemoryFill(0xffff,2,1,0x40); 在i/o空间添入数值40h
*(int *)SCSR1=0x0200; 给scsr1寄存器赋值
*(int *)SCSR2=0x000C; 给scsr2寄存器赋值，在这里可以进行mp/mc方式的转换
*(int *)WDNTR=0x006f; 给wdntr寄存器赋值
*(int *)WDKEY=0x055; 给wdkey寄存器赋值
*(int *)WDKEY=0x0AA; 给wdkey寄存器赋值
}
三十六.使用TI公司模拟器件与DSP结合使用的好处。
1)在使用TI公司的DSP的同时，使用TI公司的模拟可以和DSP进行无缝连接。器件与器件之间
不需要任何的连接或转接器件。这样即减少了板卡的尺寸，也降低了开发难度。
2)同为TI公司的产品，很多器件可以固定搭配使用。少了器件选型的烦恼
3)TI在CCS中提供插件，可以用于DSP和模拟器件的开发，非常方便。
三十七.C语言中可以嵌套汇编语言？
可以。在ANSI C标准中的标准用法就是用C语言编写主程序，用汇编语言编写子程序，中断
服务程序，一些算法，然后用C语言调用这些汇编程序，这样效率会相对比较高
三十八.在定点DSP系统中可否实现浮点运算？
当然可以，因为DSP都可以用C,只要是可以使用c语言的场合都可以实现浮点运算。
三十九.JTAG头的使用会遇到哪些情况？
1)DSP的CLKOUT没有输出，工作不正常。
2)Emu0，Emu1需要上拉。
3)TCK的频率应该为10M。
4)在3.3V DSP中，PD脚为3.3V 供电，但是仿真器上需要5V电压供电，所以PP仿真器盒上需
要单独供电。
4)仿真多片DSP。在使用菊花链的时候，第一片DSP的TDO接到第二片DSP的TDI即可。注意当
串联DSP比较多的时候，信号线要适当的增加驱动。
四十.include头文件（.h)的主要作用
头文件，一般用于定义程序中的函数、参数、变量和一些宏单元，同库函数配合使用。因此
，在使用库时，必须用相应的头文件说明。
四十一.DSP中断向量的位置
1)2000系列dsp的中断向量只能从0000H处开始。所以在我们调试程序的时候，要把DSP选择
为MP（微处理器方式），把片内的Flash屏蔽掉，免去每次更改程序都要重新烧写Flash工作
。
2)3x系列dsp的中断向量也只能在固定的地址。
3)5000，6000系列dsp的中断向量可以重新定位。但是它只能被重新定位到Page0范围内的任
何空间。
四十二.有源晶振与晶体的区别，应用范围及用法
1)晶体需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。晶体没有电压的问题，
可以适应于任何DSP，建议用晶体。
2)有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号比较稳定。有源晶振用法：一脚悬空，二脚接地
，三脚接输出，四脚接电压。
四十三.程序经常跑飞的原因
1)程序没有结尾或不是循环的程序。
2)nmi管脚没有上拉。
3)在看门狗动作的时候程序会经常跑飞。
4)程序编制不当也会引起程序跑飞。
5)硬件系统有问题。
四十四.并行FLASH引导的一点经验
最近BBS上关于FLASH和BOOT的讨论很活跃，我也多次来此请教。前几天自制的DSP板引导成
功，早就打算写写这方面的东西。我用的DSP是5416，以其为核心，做了一个相对独立的子
系统（硬件、软件、算法），目前都已基本做好。 下面把在FLASH引导方面做的工作向大家
汇报一下，希望能对大家有所帮助。本人经验和文笔都有限，写的不好请大家谅解。
硬件环境：
DSP：TMS320VC5416PGE160
FLASH：SST39VF400A-70-4C-EK 都是贴片的，FLASH映射在DSP数据空间的0x8000-0xFFFF
软件环境： CCS v2.12.01
主程序（要烧入FLASH的程序）： DEBUG版，程序占用空间0x28000-0x2FFFF（片内SARAM）
，中断向量表在0x0080-0x00FF（片内DARAM），数据空间使用0x0100-0x7FFF（片内DARAM）
。 因为FLASH是贴片的，所以需要自己编一个数据搬移程序，把要主程序搬移到FLASH中。
在写入FLASH数据时，还应写入引导表的格式数据。最后在数据空间的0xFFFF处写入引导表
的起始地址（这里为0x8000）。
搬移程序： DEBUG版，程序空间0x38000-0x3FFFF（片内SARAM），中断向量表在
0x7800-0x78FF（片内DARAM），数据空间使用0x5000-0x77FF（片内DARAM）。 搬移程序不
能使用与主程序的程序空间和中断向量表重合的物理空间，以免覆盖。 烧写时，同时打开
主程序和搬移程序的PROJECT，先LOAD主程序，再LOAD搬移程序，然后执行搬移程序，烧写
OK! 附：搬移程序（仅供参考）
volatile unsigned int *pTemp=(unsigned int *)0x7e00; unsigned int iFlashAddr;
int iLoop; /* 在引导表头存放并行引导关键字 */
iFlashAddr=0x8000;
WriteFlash(iFlashAddr,0x10aa);
iFlashAddr++; /* 初始化SWWSR值 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x7e00);
iFlashAddr++; /* 初始化BSCR值 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x8006);
iFlashAddr++; /* 程序执行的入口地址 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x0002);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8085);
iFlashAddr++; /* 程序长度 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x7f00);
iFlashAddr++; /* 程序要装载到的地址 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x0002);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8000);
iFlashAddr++;
for (iLoop=0;iLoop<0x7f00;iLoop++)
{ /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */
asm(" pshm al");
asm(" pshm ah");
asm(" rsbx cpl");
asm(" ld #00fch,dp");
asm(" stm #0000h, ah");
asm(" MVDM _iLoop, al");
asm(" add #2800h,4,a");
asm(" reada 0h");
asm(" popm ah");
asm(" popm al");
asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */
WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp);
iFlashAddr++; } /* 中断向量表长度 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x0080);
iFlashAddr++; /* 中断向量表装载地址 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0080);
iFlashAddr++;
for (iLoop=0;iLoop<0x0080;iLoop++) { /* 从程序空间读数据，放到暂存单元 */
asm(" pshm al");
asm(" pshm ah");
asm(" rsbx cpl");
asm(" ld #00fch,dp");
asm(" stm #0000h, ah");
asm(" MVDM _iLoop, al");
asm(" add #0080h,0,a");
asm(" reada 0h");
asm(" popm ah");
asm(" popm al");
asm(" ssbx cpl"); /* 把暂存单元内容写入FLASH */
WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp);
iFlashAddr++;
} /* 写入引导表结束标志 */
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000); /* 在数据空间的0xFFFF写入引导表起始地址 */
iFlashAddr=0xffff;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8000); |
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