本帖最后由 imdx 于 2022-3-6 19:27 编辑
刚刚拿到官方的AT-START-F425开发板,板上芯片是AT32F425R8T7-7,Cortex-M4内核,嵌入式FLASH,LQFP-64封装,体积7x7mm,管脚间距0.4mm。移植完XBOOT,顺手跑了一下Dhrystone,记录一下数据。
# 8MHz AT32F425 O3优化
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 56ms 5568
# 8MHz AT32F425 Oz优化
dhry
Start dhrystone test...
Stopped, elasped time = 80ms 8017 结果如下,ARM芯片,AT32F425,Cortex-M4核心,8M主频,AC6编译器- 8MHz非零等待闪存O3优化:55.68ms
- 8MHz非零等待闪存Oz优化:80.17ms
与使用SRAM缓存架构的AT32F413对比,嵌入式FLASH架构性能大约是SRAM缓存架构性能的77%。
- 8MHz零等待闪存O3优化:42.90ms
- 8MHz零等待闪存Oz优化:62.11ms
- 8MHz非零等待闪存O3优化:100.65ms
- 8MHz非零等待闪存Oz优化:149.78ms
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