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[研电赛技术支持]

GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

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楼主
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-14 11:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
AD, flash, 芯片, GD32, gd32f1, gd32F103
看了GD32F103VBT6的说明书，字编程时间居然要是200微秒-400微秒，页擦除时间60-450毫秒，比ST的大了10倍，如果不擦除保存20字节数据需要2毫秒还行，如果要擦除了再保存那不就分分钟保存不了？也许都没擦除完？整片擦除更恐怖，长达9秒，请问这些数据是准确的吗？这里有官方的支持吗？有用过掉电保存数据的大神吗？到处都找不到官方的支持，GD的芯片到底能不能用啊连支持都没有，到论坛上问也没人回应，是不是没什么人用GD的芯片啊，都不太敢换GD的芯片了。

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沙发
probedog| | 2022-3-16 11:31 | 只看该作者
GD论坛里好像没有官方的技术支持啊

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板凳
lifeforrent| | 2022-3-16 17:10 | 只看该作者
你这些数据从哪看的呢，我刚测了下，512K的FLASH整片擦除大约需要100ms.

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地板
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-17 11:39 | 只看该作者
lifeforrent 发表于 2022-3-16 17:10
你这些数据从哪看的呢，我刚测了下，512K的FLASH整片擦除大约需要100ms.

你测试的是什么型号？我说的是GD32F103VBT6，这是官方的说明书

无标题.jpg (94.63 KB )

无标题.jpg

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5楼
lifeforrent| | 2022-3-21 15:32 | 只看该作者
我在E503上测试的，看了503datasheet,下面有句注释，说这些数据没有在产品中测量，所以表格给出的时间并不是实际时间，具体时间可以自己测一下

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6楼
gilberth| | 2022-3-23 14:00 | 只看该作者
本帖最后由 gilberth 于 2022-3-23 14:23 编辑

多找几个产品datasheet, 对比看一下，网上再搜一下，就应该知道有无明显差异了吧。有明显差异如果满足不了产品开发需求，就重新选择其他型号呗。

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7楼
锐鑫同创| | 2022-3-24 00:15 | 只看该作者
1.建议使用GD32F303
2.参考最新的数据手册，可以官网下载
3.做数据存储的话，如果擦除肯定是两个空间，要先备份数据再擦除的，不然时间再短也可能丢失。可以找一些Flash模拟EEP的资料。

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8楼
dalarang| | 2022-3-24 09:43 | 只看该作者
用两个page轮流存储的方式，写page1完成后擦除page2，第二次写page2后擦除page1，确保有一个page是空的随时可以写。

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