GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

只看该作者 · 2022-3-14 11:05

看了GD32F103VBT6的说明书，字编程时间居然要是200微秒-400微秒，页擦除时间60-450毫秒，比ST的大了10倍，如果不擦除保存20字节数据需要2毫秒还行，如果要擦除了再保存那不就分分钟保存不了？也许都没擦除完？整片擦除更恐怖，长达9秒，请问这些数据是准确的吗？这里有官方的支持吗？有用过掉电保存数据的大神吗？到处都找不到官方的支持，GD的芯片到底能不能用啊连支持都没有，到论坛上问也没人回应，是不是没什么人用GD的芯片啊，都不太敢换GD的芯片了。

只看该作者 · 2022-3-16 09:27

兄弟，我看了你的话都不敢相信，自己去查了一下，手册还真的是这样描述的，但是我觉得实际可能不一样吧，我用的GD32E230系列，写FLASH很快的。

GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

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