GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

发表于 2022-3-14 11:07

看了GD32F103VBT6的说明书，字编程时间居然要是200微秒-400微秒，页擦除时间60-450毫秒，比ST的大了10倍，如果不擦除保存20字节数据需要2毫秒还行，如果要擦除了再保存那不就分分钟保存不了？也许都没擦除完？整片擦除更恐怖，长达9秒，请问这些数据是准确的吗？这里有官方的支持吗？有用过掉电保存数据的大神吗？到处都找不到官方的支持，GD的芯片到底能不能用啊连支持都没有，到论坛上问也没人回应，是不是没什么人用GD的芯片啊，都不太敢换GD的芯片了。

发表于 2022-3-14 11:27

别用低成本压榨用户的体验感，我只用ST

发表于 2022-3-14 12:32

我不喜欢存在芯片中，喜欢外挂芯片

发表于 2022-3-14 12:39

GD32Exx的擦写快

发表于 2022-3-14 13:09

我要替换stm32f103vbt6，只能用F103vbt6的

发表于 2022-3-14 13:10

单模先声发表于 2022-3-14 11:27
别用低成本压榨用户的体验感，我只用ST

ST的要170大洋啊

发表于 2022-3-14 14:31

stc字节编程都只需要20US

发表于 2022-3-14 15:48

擦除时间长的话，可以每次执行过读flash的时候，就擦除flash 处于等待被写的状态；等需要写flash的时候，直接写flash。这样就比较快啦。

发表于 2022-3-14 16:19

Engel 发表于 2022-3-14 15:48
擦除时间长的话，可以每次执行过读flash的时候，就擦除flash 处于等待被写的状态；等需要写flash的时候，直 ...

一般情况下都是上电时检查有无需要擦除的，有就擦除，但有可能会出现在掉电时需要擦除的情况，所以不能不考虑这个问题，最主要是写时间也比较长。

发表于 2022-3-14 16:59

gdszzyq 发表于 2022-3-14 16:19
一般情况下都是上电时检查有无需要擦除的，有就擦除，但有可能会出现在掉电时需要擦除的情况，所以不能不 ...

嗯嗯。我的这个，是因为需要“掉电**”，即掉电时候要写入一次。

发表于 2022-3-14 18:04

国民技术的可以，保存速度和ST差不多

发表于 2022-3-15 08:27

gdszzyq 发表于 2022-3-14 13:09
我要替换stm32f103vbt6，只能用F103vbt6的

替换ST 103系列，现在首推的是GD32F303系列，你可以看一下303的手册。

发表于 2022-3-15 08:56

如果想要擦写速度快，只能考虑Super Flash技术的存储类芯片了。

GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

相关帖子

浏览过的版块

技术新星奖章

荣誉元老奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

社区建设奖章

甘甜之泉水

技术奇才奖章

七世轮回

技术高手奖章

以坛为家