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GD的FLASH写及擦除时间那么长，还可以掉电保存数据吗

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楼主
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-14 11:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
AD, 6G, ST, b460, gd32F103
看了GD32F103VBT6的说明书，字编程时间居然要是200微秒-400微秒，页擦除时间60-450毫秒，比ST的大了10倍，如果不擦除保存20字节数据需要2毫秒还行，如果要擦除了再保存那不就分分钟保存不了？也许都没擦除完？整片擦除更恐怖，长达9秒，请问这些数据是准确的吗？这里有官方的支持吗？有用过掉电保存数据的大神吗？到处都找不到官方的支持，GD的芯片到底能不能用啊连支持都没有，到论坛上问也没人回应，是不是没什么人用GD的芯片啊，都不太敢换GD的芯片了。

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沙发
单模先声| | 2022-3-14 11:27 | 只看该作者
别用低成本压榨用户的体验感，我只用ST

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板凳
dog_xin| | 2022-3-14 12:32 | 只看该作者
我不喜欢存在芯片中，喜欢外挂芯片

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地板
aple0807| | 2022-3-14 12:39 | 只看该作者
GD32Exx的擦写快

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5楼
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-14 13:09 | 只看该作者
我要替换stm32f103vbt6，只能用F103vbt6的

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6楼
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-14 13:10 | 只看该作者
单模先声 发表于 2022-3-14 11:27
别用低成本压榨用户的体验感，我只用ST

ST的要170大洋啊

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7楼
ayb_ice| | 2022-3-14 14:31 | 只看该作者
stc字节编程都只需要20US

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8楼
Engel| | 2022-3-14 15:48 | 只看该作者
擦除时间长的话，可以每次执行过读flash的时候，就擦除flash 处于等待被写的状态；等需要写flash的时候，直接写flash。这样就比较快啦。

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9楼
gdszzyq|  楼主 | 2022-3-14 16:19 | 只看该作者
Engel 发表于 2022-3-14 15:48
擦除时间长的话，可以每次执行过读flash的时候，就擦除flash 处于等待被写的状态；等需要写flash的时候，直 ...

一般情况下都是上电时检查有无需要擦除的，有就擦除，但有可能会出现在掉电时需要擦除的情况，所以不能不考虑这个问题，最主要是写时间也比较长。

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10楼
Engel| | 2022-3-14 16:59 | 只看该作者
gdszzyq 发表于 2022-3-14 16:19
一般情况下都是上电时检查有无需要擦除的，有就擦除，但有可能会出现在掉电时需要擦除的情况，所以不能不 ...

嗯嗯。我的这个，是因为需要“掉电**”，即掉电时候 要写入一次。

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11楼
l4157| | 2022-3-14 18:04 | 只看该作者
国民技术的可以，保存速度和ST差不多

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12楼
wangliuliu566| | 2022-3-15 08:27 | 只看该作者
gdszzyq 发表于 2022-3-14 13:09
我要替换stm32f103vbt6，只能用F103vbt6的

替换ST 103系列，现在首推的是GD32F303系列，你可以看一下303的手册。

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13楼
wolfe_yu| | 2022-3-15 08:56 | 只看该作者
如果想要擦写速度快，只能考虑Super Flash技术的存储类芯片了。

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