PIC学习贴之-PIC24 操作内部EEPROM！

1万 · 2012-3-27 10:54

本帖最后由 Ryanhsiung 于 2012-3-28 19:06 编辑

看了一上午文档，都要先定义EEPROM变量后才能进行相应操作。24系列与18系列不一样，我看了看DATASHEET，EEPROM应该是用FLASH来实现的，只是将FLASH擦出实现了单个字，双字、4字擦出了！
看了一上午文档，都要先定义EEPROM变量后才能进行相应操作。

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// 必须定义EEPROM 数据变量

int __attribute__ ( (space(eedata))) eeData = 0x9632; 

// 再用下面的函数进行操作_write_eedata_word  

__builtin_tblpage

__builtin_tblwtl

我不想定义，我就想你PIC18直接按地址操作！
后面继续看文档，要操作TBLPAG,W才能实现地址操作，但在C中操作W是一个不安全的动作。（编译器一直提示这个问题），我也想了想，我也不知道其它函数会不会操作到特定的W，若要操作到不就挂了。
后就找到一个间接的方法，

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        uint16_t offset;                

        NVMCON = 0x4058;

        TBLPAG = 0x007f; 

        offset = 0xfe00+ee_addr;

        __builtin_tblwtl(offset, 0);

再分享一个DSPIC30的EEPROM文档及源码。

2万 · 2012-3-27 11:20

用的库函数？

呵呵，俺都是自己写的EEPROM读写函数，库函数容易导致独占CPU连续操作EEPROM，如果不了解这个，则你的其它任务就安排不下去了。

1万 · 2012-3-27 14:10

用的库函数？

呵呵，俺都是自己写的EEPROM读写函数，库函数容易导致独占CPU连续操作EEPROM，如果不了解这个，则你的其它任务就安排不下去了。
yewuyi 发表于 2012-3-27 11:20

自己怎么写，贴段段代码看看！
可以说是第一次使用24系列单片机，有些和18 16的不一样，还不知道怎么下手！！

2万 · 2012-3-27 14:21

俺没有24系列的代码。

基本道理不管是啥系列的，还不都是一样的吗！！！？

自己对着DATASHEET看一下就应该很容易写出来了，连个内部模块都搞不定，很容易让人鄙视的。

1万 · 2012-3-28 19:07

先前为求例程，现更新为实现方法及分享资料

只看该作者 · 2016-9-4 21:29

本帖最后由 ailingg 于 2016-9-5 12:04 编辑

根据楼主的资料终于弄懂了eeprom的操作，原来用c30内建函数 _builtin tblwtl 一直迷迷糊糊，原因是不懂汇编，汇编挺妙但难懂啊。根据楼主资料把我原来的eeprom操作函数给改了，如下：

/************************************************************************************
* 模块：EEPROM字数据串写入
* 输入：pSource源数组，ee_addr数据在eeprom中的偏移地址
* 输出：一次字数据串连续写完成返回1
* 说明：
*************************************************************************************/
UINT8 eepromStrWrite( UINT16 *pSource, UINT16 ee_addr, UINT8 len)
{
static UINT16 offset;
static UINT8 Length = 0;
static UINT8 Index = 0;
static UINT8 StrWriteInit = NEVER;

if( StrWriteInit == NEVER )                // 字数据串连续写入时EEPROM地址的初始化
{
      StrWriteInit = ALREADY;
      EEbits.WritePermit = YES;
      Length = len;
      NVMCONbits.NVMOP = 0b00100;             // 非易失性存储器编程控制寄存器，一次写入一个字
      NVMCONbits.WREN = 1;                   // 写使能
      IEC0bits.NVMIE = 1;
      TBLPAG = EEADDR_PAGE;                   // 根据器件数据手册定义EEPROM页地址，通常是固定的0x007F
      offset = EEADDR_BASE + ee_addr;       // 根据器件数据手册定义EEPROM 24位地址的低16位，p24F16KLxx 256字EEPROM的低16位地址从0xFE00开始
}
if(  EEbits.WritePermit == YES )
{
      EEbits.WritePermit = NO;
      if( Length > 0 )
      {
         Length--;
         PUSH_WREG6_WREG7;                // 寄存器入栈保护
         WREG6 = pSource[Index++];          // set the source register W6 to the desired word to write
         WREG7 = offset;                   // set the destination pointer W7 for programming
         offset += 2;
         asm( "tblwtl.w w6,[w7]" );       // tblwtl load the one write latch
         asm volatile ("disi #10" );       // Disable Interrupt 10 Tcy
         UNLOCK_NVM_AND_PROGRAM;          // now do the programming operation
         POP_WREG7_WREG6;                   // 寄存器出栈，后入先出
      }
      else  // 数据串写完返回1
      {
         Index = 0;
         StrWriteInit = NEVER;
         IEC0bits.NVMIE = 0;
         return 1;
      }
}
return 0;
}

/*******************************************************************************************
* 模块：eeprom写入中断
* ****************************************************************************************/
void __attribute__((interrupt, shadow, no_auto_psv)) _NVMWriteInterrupt(void)
{
IFS0bits.NVMIF = 0;
EEbits.WritePermit = YES;
}

楼主的资料里的出栈顺序反了，烧写后不停复位

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