STM32F4 FMC学习

只看该作者 · 2022-3-29 15:21

STM32F4 FMC学习

一、区域划分

FMC灵活的存储控制器。FMC可连接SRAM(异步或同步)、SDRAM、NORFLASH、PC卡、NANDFLASH.支持突发模式，可编程时钟，8位、16位、32位宽的数据总线。FMC有6个存储区域，每个区域支持256MB的寻址空间。

第一个区域用于NORFLASH、PSRAM、SRAM，包括4个子区域，每个子区域有各自的片选信号，可连接4个器件。

区域2和3 用于NAND Flash，每个区域只能连接1个器件。

区域 4 用于连接PC卡。

区域5和6 用于SDRAM，每个区域只能连接1个器件。

每个存储器区域使用的存储类型，可通过配置寄存器配置。

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二、地址映射

1、NOR/PSRAM 地址映射

只看该作者 · 2022-3-29 15:24

HADDR 是内部总线地址，根据外部的存储器数据位宽的不同，内部总线地址和外部存储器地址的映射关系如上表所示。

HADDR 的bit26 bit27 用于选择区域一中的子区域。

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2、SDRAM的地址映射

只看该作者 · 2022-3-29 15:26

①  HADDR[28]位(内部AHB地址线28)用于选择区域5、6两个SDRAM区域中的1个。

  ②  表252 表示的是13行11列的SDRAM存储器件，不同的数据位宽 HADDR和外部存储器件地址的对应。

      ③ 内部存储指的是选择外部存储区域的哪个BANK，最多支持四个BANK。

只看该作者 · 2022-3-29 15:26

三、 NOR Flash / PSRAM 控制器

      1、支持的器件访问模式

      异步SRAM和ROM: 8位、16位、32位

PSRAM: 异步模式、同步访问的突发模式、复用或非复用。

      NOR Flash：异步模式、同步访问的突发模式。

      每个子区域都有唯一的片选信号NE[4:1] ，地址线、数据线、控制信号共用。

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2、可编程时钟

等待周期可编程(最多15个时钟周期)、总线周转周期可编程(最多15个时钟周期)、输出使能和写入使能延迟可编程(最多15个时钟周期)、独立的读和写时序和协议(可用在读写控制时序不一样的器件 LCD)、可编程的连续时钟输出。

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3、NOR Flash/PSRAM控制器异步事务

所有的控制器输出信号在时钟的上升沿变化。

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1、异步静态存储器(NOR Flash PSRAM  SRAM)

            ①  信号通过内部时钟HCLK进行同步，此时钟不会发送到外部存储器。

            ②  如果使能扩展模式，最多提供四种扩展模式(A B C D)，可以混合使用A B C D模式来进行读取和写入操    作，可以混合使用不同模式。

            ③ 如果禁用扩展模式，则FMC在模式1或模式2下运行。选择SRAM/PSRAM存储器时，模式1是默认模    式，当选择NOR存储器时，模式2为默认模式。

只看该作者 · 2022-3-29 15:30

模式1：读取信号线数据发送期间保持低电平

模式A：读取信号线数据发送期间有高低电平的切换，读取和写入的时序可以独立。

只看该作者 · 2022-3-29 16:35

四、NAND Flash/ PC 卡控制器

支持的设备类型：8位和16位的NAND，16位PC卡兼容设备

只看该作者 · 2022-3-29 16:36

五、 SDRAM控制器

1、控制器特性

两个SDRAM区域可独立配置，8位、16位、32位的数据宽度，13位行地址11位列地址、支持有4个bank的存储设备，支持字、半字、字节访问，SDRAM时钟可以是HCLK的2或3分频，支持自动刷新可编程刷新频率

只看该作者 · 2022-4-2 10:30

这个开始有点难，都跑通了，也就那样了