本帖最后由 JeanJean 于 2022-4-8 12:42 编辑
#技术资源# 简介
N32G45X系列芯片支持 HSE （高速外部晶振）和 L SE 低速外部晶体 ）。 其中 H SE 可为系统提供精确的主时钟源，支持的晶振频率范围为 4MHz~32MHz ，通过 PLL 锁相环倍频输出，最高能够为设备提供 144MHz 的系统主频。 L SE 主要 为实时时钟（ R TC ）和其他低速外设提供一个低功耗且精确的时钟源。
产生准确、稳定的时钟是系统正常工作的前提。本文档 主要针对两种晶体（ H SE 、 LSE ）的硬件电路设计
来讨论，包括一些关键参数的解释、元件功能说明、画板布线要求和常见问题总结，以便用户能够快速完成晶振电路的设计。
目录
一、晶体振荡电路原理说明 ................................................................... 1
1、石英晶体振荡电路模型： .................................................................. 1
2、反馈电阻RF、负载电容CL、外部限流电阻REXT ............................ 2
二、HSE使用说明 .................................................................................. 3
1、常见的晶振电路设计 ......................................................................... 3
2、并联电阻和串联电阻的作用 ............................................................... 5
3、芯片HSE匹配电容参数选择............................... ................................. 6
4、HSE匹配电容分析 ........................................................................ 7
5、HSE布线要求 ......................................................................... 7
6、常见HSE起振失败分析 ...................................................................... 8
三、LSE使用说明 ................................................................................... 9
1、 LSE典型电路 ................................................................................... 9
2、LSE匹配电容参数选择........................................................................ 10
3、LSE示例匹配 ..................................................................................... 11
4、LSE布线要求 ..................................................................................... 11
5、常见LSE问题 ......................................................................... 12
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