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PIC16F1823的EEPROM能读写几次？

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楼主
lzy_tjau|  楼主 | 2012-3-28 16:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, 读写, pic16f1823, 数据手册
数据手册没写  求解？
想擦写10-20W次甚至100W次 不知道行不行

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沙发
Ryanhsiung| | 2012-3-28 16:38 | 只看该作者
怎么会没有？DATASHEET中电气特性->里面找！ 1824的：

QQ截图未命名.jpg (51.94 KB )

QQ截图未命名.jpg

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板凳
yewuyi| | 2012-3-28 16:51 | 只看该作者
读无限制，写有次数限制。

写的总次数与电源电压和环境温度有一定影响，保守至少30万次以上，如果能保证VCC波动不是特别大，环境温度-10~70度范围内估计100万次也问题不大。

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地板
1521732588| | 2012-3-28 17:01 | 只看该作者
最多100W次

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5楼
lzy_tjau|  楼主 | 2012-3-28 17:10 | 只看该作者
根据二楼的电气特性：字节耐擦写能力100K    与   刷新前的总擦除/写次数1M   能不能具体解释下什么意思:$

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6楼
Ryanhsiung| | 2012-3-28 20:14 | 只看该作者
根据二楼的电气特性：字节耐擦写能力100K    与   刷新前的总擦除/写次数1M   能不能具体解释下什么意思:$
lzy_tjau 发表于 2012-3-28 17:10

这个没有研究过，你看看DATASHEET

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7楼
lzy_tjau|  楼主 | 2012-3-29 08:45 | 只看该作者
DATASHEET就这些内容了 。。。 没明白耐擦写能力100K什么意思？

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8楼
yewuyi| | 2012-3-29 09:39 | 只看该作者
单个字节100K次，所有的字节加起来的总次数1M，老的MCU中的EEPROM好像都没这个术语

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9楼
轩辕剑cxw| | 2012-3-29 11:20 | 只看该作者
10万次一下，这是极限了

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10楼
autopccopy| | 2012-3-29 13:41 | 只看该作者
一般器件在常温下的FLASH 是10W, EEPROM 100W!

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11楼
asspeed| | 2012-3-29 14:29 | 只看该作者
本帖最后由 asspeed 于 2012-3-29 14:30 编辑

D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时,必须要执行一次REFRESH操作.
为什么需要这样做,看11.2章节

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12楼
lzy_tjau|  楼主 | 2012-3-30 12:18 | 只看该作者
明白了 谢谢各位:)

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13楼
caijun_2012| | 2012-3-30 12:33 | 只看该作者
写E2PROM手册上有提到，大概10W次。理论值

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14楼
416775364TP| | 2018-7-25 09:51 | 只看该作者
asspeed 发表于 2012-3-29 14:29
D116表示一个BYTE位置的最大擦写次数能保证的规格是100K。
而D120表示当你进行所有擦写的次数总共达到1M时, ...

如何执行REFRESH操作？

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