编程期间进行读闪存的操作，将导致CPU被暂停？？？？

只看该作者 · 2022-4-18 11:42

雅特立的芯片以及STM32的，在flash擦写的时候都有明确提醒：编程期间进行读闪存的操作，将导致 CPU 会被暂停直到编程完成才处理读闪存操作..

这种怎么理解，程序IAP升级的时候不都要运行的时候接受数据包写到内部flash，等待升级程序接收完成后升级嘛？

只看该作者 · 2022-4-21 16:46

我也很困惑。但我测试at32f403A，擦除扇区40ms期间是可以中断响应的，可以读闪存呀。一下是我在网上搜的：
https://www.sekorm.com/faq/122694.html

AT32F403A在操作零等待Flash区域有哪些需要注意的点？

KenPeng Lv5 (0)
FLASH擦除操作，如果满足以下两个条件会导致程序跑飞出错：
1. 擦除的是零等待区
2. 擦除过程中CPU有以下顺序的动作，零等待区取指令-＞非零等待区取指令。
例如：擦除一个零等待区扇区，擦除开始后，程序会去检查FLASH忙的标志（检查标志这句代码位于零等待区），然后中断正常响应，如果中断函数有非零等待区的代码，此时就会出错
解法1：调用擦除操作前后，操作中断使能的开关，如下：
_disable_irq()；
Erase()；
_enable_irq()；
解法2：保证芯片在擦除期间所有执行的函数代码都位于零等待区

只看该作者 · 2022-4-21 18:05

本帖最后由 muyichuan2012 于 2022-4-21 18:06 编辑

其实ST103是一样的，因为只有一片flash,不可能既要运行程序，又要进行flash program。
肯定只能做一件事啊。
除非你使用ST 最新具备的 dual bank的型号。至于IAP怎么操作，你可以参考bsp utility文件夹下IAP 案例。