有图晶圆关键尺寸及套刻量测系统，可以对Wafer的关键尺寸进行测量，对套刻偏移量的测量，以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量，包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。300*300mm真空吸附平台，可支持12寸Wafer的自动测量。配置扫描枪等，可满足产线的全自动化生产需求。
系统的布局结构
1.上/下料区：Robot自动抓取Wafer至寻边器平台；
2.定 位 区：寻边器对Wafer自动轮廓识别，旋转校正到设定姿态；
3.测 量 区：自动测量平台，包含2D和3D量测模组，内部有温湿度监控及除静电装置；
一、上/下料区：Robot自动上下料区
图1. Robot自动上下料区
二、定 位 区：寻边器自动识别出wafer轮廓，旋转校正到设定姿态。
图2. Robot将Wafer放在寻边器上
图3. 自动识别出wafer轮廓
三、测 量 区：自动测量平台
图4. 自动测量平台
四、应用案例
1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量
图5. Wafer关键尺寸测量
图6. 套刻偏移量测量
2.镭射切割槽测量
图7. Wafer镭射槽
图8. 镭射槽3D图像
图9. 镭射槽测量数据
3.表面粗糙度测量
图10. Wafer减薄片
图11. 研磨后3D图像
图12. 粗糙度测量数据
关键尺寸及套刻量测系统可以根据不同需求定制。 |
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