发新帖我要提问
返回列表
打印
[技术讨论]

关于multism仿真mos动态调节的一些疑问

[复制链接]
248|2
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
fr1ao|  楼主 | 2022-4-25 10:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 fr1ao 于 2022-4-25 10:58 编辑

如下图，这个电路的右侧的电路，是上端24V，接4个LD，再往下有mos以及采样电阻。通过采样电阻采集的电压，经过两个运放，与单片机给的DRV_LD+信号，进行比较。与DRV_LD+之间的差值越大，mos导通的越彻底，也即导致了电流变大，使得采集的电压变大，从而使得与DRV_LD+之间的差值变小，从而使得电流变小，因此使得mos产生了可调电阻的作用。
C:\Users\dell\Desktop\1.png
而目前我想利用multism仿真一下，但是不清楚multism中是否具备这样的可调电阻动态调节的功能。而且对于4个LD处的电路不知道该做什么样的仿真构建，所以希望大神们可以不吝赐教，在此感谢。
下面是我做的multism仿真
C:\Users\dell\Desktop\2.png

1.png (105.14 KB )

1.png

2.png (42.78 KB )

2.png

使用特权

评论回复 赏
评论
fr1ao 2022-4-25 11:13 回复TA
@tyw ：好的好的，非常感谢。 
tyw 2022-4-25 11:08 回复TA
去油香收 

相关下载

返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

fr1ao

3

主题

8

帖子

0

粉丝