本帖最后由 wandersky 于 2022-5-6 17:28 编辑
STM32内部FLASH模拟E2PROM 代码参考了STM32官方的例程与网友“半壶水”的程序。
使用内部FLASH的最后一个扇区来模拟E2PROM来保存经常改变的参数。 此参数以参数结构体的形式保存在flash中
struct element{
uint16_t addr;
uint8_t dat[30];
};
其中addr为参数地址标示，用来区别不同的参数。 dat[30]，为有效参数空间，最大可以保存30B，如果需要扩展，可以把此结构体的扩展到32B的整数倍即可，为了兼容STM32H7系统内部FLASH。 例程使用的是STM32H743 nucleo板子， 上电会初始化ele1默认值为0，当USER按键按下1次，ele1值加1。
使用说明：
1.对BASS_ADDR_EMU_FLASH首地址做定义(不定义则使用最后一个扇区作为模拟FLASH)
2.上电后先初始化，e2prom_init()
3.初始化后就可以读写要保存的参数了。
4.寿命：如果只有1个参数， 128k/32*10000=4000W次,能满足大多数需求
5.存在问题：当存储数据的FLASH写满时，这时需要擦除块操作，如果此时板子断电重启，则保存的所有参数将丢失。
源码地址https://github.com/wanderksy/e2prom |
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