MOS管开关带电容负载的问题

发表于 2012-3-30 15:11

使用PMOS管做电源开关，假设PMOS Ron 0.1欧姆，电源电压24V
负载是其它的设备，一般都有几百uf的输入电容，如果比较频繁的开关（几十秒一次）

这个电容对PMOS的寿命有没有影响？电容值的安全范围最大是多少？如何估算

发表于 2012-3-30 15:31

要看电容的ESR，然后计算峰值电流。（ESL基本上可以忽略）

一般MOS都能承受好多倍的峰值电流的，倒是电容，电压高时不一定能承受。
比如钽电容，用在低内阻电源上超过十几伏时就会很容易上电就爆电容

发表于 2012-3-30 15:31

这个没有什么影响把？我觉得你应该担心的是开关机速度的问题。以前我就遇到过这样的我问题铺地没有铺好，导致电容放电慢了~开机关机立马开机就开不起来了！重新铺地就好了！

发表于 2012-3-30 15:32

如果冲击电流太大，就应该考虑采取一定措施一直浪涌电流的峰值。

发表于 2012-3-30 15:44

因为被供电的设备未知，我担心电容过大，又是多个并联ESR也比较小，瞬间功率太高，使管芯温度太高，影响寿命，板子已经做好了，忘记串电感

发表于 2012-3-30 15:53

电源输出最好有限流保护、峰值电流控制，
如果没有又不放心的话，那就加大MOS管的余量即可，毕竟同封装的大功率、大电流管子多得是。

发表于 2012-3-30 16:44

6# xwj
多谢各位，设计的时候只考虑到电感负载的状况，板子做好了，才想起来电容负载才是更应该考虑的状况

发表于 2012-3-30 21:44

做个标记！

发表于 2012-3-31 08:49

限制冲击电流，要不然很容易把MOS干掉的

发表于 2012-3-31 08:53

9# lyjian
现在我知道两种方法：串联电感、电容充电VGS软启动

哪个好一点？还有没有其它办法？

GavinZ · 发表于 2012-4-1 08:37

开关电源建议使用VGS软启动

发表于 2012-4-2 22:30

开关电源建议使用VGS软启动
mercyau 发表于 2012-4-1 08:37

我觉得这是最好的办法

发表于 2015-7-28 22:58

电容充电VGS软启动电路是怎样的呢