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请教 P-MOS管做电源开关 容易击穿的问题

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楼主
如图所示: 产品上使用一个电源控制电路, 输入电压V+ = 48V~72V 锂电池供电, 通过按键S1使MOS导通, 然后后面单片机起来后控制Pow使MOS持续导通, 释放Pow关断MOS(关机)

P-MOS 为VDS=-100V, 电流-13A, VGS=-10V, VGS最大±20V, 控制电流不超过500mA(为两个单片机供电, 后面进入DCDC出DC5V);
D9 为15V稳压管, 试图保护 VGS不超;
故障描述: 客户反馈有一定比例的MOS管会击穿, 击穿后无法恢复, 导致上电就通电, 无法关断.

还请各位大佬帮忙指点一下, 问题可能出在哪里...

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相关帖子

沙发
xmar| | 2022-5-9 12:39 | 只看该作者
负载(OUT处)有大电解电容,开机瞬间电流太大,烧坏P-MOS管?保险丝F2串联一个2~5欧电阻试一试。

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板凳
chunyang| | 2022-5-9 14:34 | 只看该作者
这个应该不是击穿,而是瞬态过流所致,毕竟电池供电难以产生过压。
可在R22上并联一个数微法的电解电容实现软启动来保护MOS管。

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地板
yangxf1217| | 2022-5-9 15:22 | 只看该作者
Vgs最大不是20V吗?看这个分压电路视乎分的有点大。

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5
lfc315| | 2022-5-9 15:32 | 只看该作者
开通过程过热烧掉了。
按板凳楼改

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6
huarana| | 2022-5-9 17:08 | 只看该作者
R14减小到1K或几百欧姆, 或者Q5换成MOS管,7002类似

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7
syh2431| | 2022-5-9 20:53 | 只看该作者
考虑在Q5的C并联一个数微法的电解电容实现软启动来保护MOS管……

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8
xch| | 2022-5-9 21:36 | 只看该作者
本帖最后由 xch 于 2022-5-9 21:40 编辑

虽然负载电流500mA,但是峰值功耗可以达到0.5A*72V/2 =18W.
如果负载还有个大电容,峰值功率还不止18W.

如果没有散热片,开关频繁就会烧了,热击穿。
NCE01P13K 单次开关仅承受110mJ 热量。 如果负载电容C >110mJ *2/72V/72V =42uF ,也会热击穿,散热片再大也没用。

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9
王栋春| | 2022-5-9 22:24 | 只看该作者
楼主不妨在MOS管的G极处串联一个限流电阻试试看。      

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10
coody| | 2022-5-9 23:41 | 只看该作者
要么过流,要么过压,示波器检测很容易看出来。

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11
技术无可挑剔| | 2022-5-10 07:23 | 只看该作者
功率场效应管,一般按照两倍电压选取器件,如果不能满足,做好场管的浪涌保护。相关浪涌保护电路可以直接搜索得到。

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12
fengok008| | 2022-5-10 08:39 | 只看该作者
你的负载电流多大,没有描述啊

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13
fengok008| | 2022-5-10 09:04 | 只看该作者
你的Vgs最大超过20V了

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14
jjjyufan| | 2022-5-10 09:12 | 只看该作者
上电瞬间 你想想 你的vgs电压有多高?

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15
vikey_zhu| | 2022-5-10 09:46 | 只看该作者
,我遇到过这种情况,然后我就在这个位置加了TVS管,或者是ESD,现象就改善了

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16
zyj9490| | 2022-5-10 09:52 | 只看该作者
应是内生保护二极管功率电流容量不够大,并联一个快速大功率的TVS管即可。

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17
zyj9490| | 2022-5-10 09:56 | 只看该作者
是不是DS短路,有二种原因:一种本身的DS极间击穿电压过大,还有二种是内置保护二极管的功率(过流)。

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18
luck_gfb| | 2022-5-10 10:01 | 只看该作者
应该是MOS损耗太大了些吧!MOS上端可以串一大功率电阻降压,可以量一下正常工作时MOS的DS电压,然后计算一下损耗,虽然工作电流不大,但如果压降大,损耗也会很大,串一个电阻也可减小上电时电容充电时对MOS的冲击。

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19
lfc315| | 2022-5-10 10:08 | 只看该作者
MOS后面是DC-DC的话,
MOS后面的对地电容用两个104级别容量的,
保险丝放到MOS前面,在MOS前面加容量大的滤波电容。

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20
妮妮轰轰| | 2022-5-10 10:17 | 只看该作者
王栋春 发表于 2022-5-9 22:24
楼主不妨在MOS管的G极处串联一个限流电阻试试看。

这是为何呢 ,外面147k阻抗已经限制住了啊

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