E103ZET6使用大于2MB的SDRAM数据出错

只看该作者 · 2022-5-11 17:42

如题，这颗芯片，如果外挂2MBYTE以上的SDRAM，读写大于2M的区会把前面的数据覆盖，感觉不支持2M以上的SDRAM,是这样吗？

只看该作者 · 2022-5-11 19:54

怎么可能啊

只看该作者 · 2022-5-13 17:17

目前E103系列接SDRAM最大为2M,与F系列有差异。

只看该作者 · 2022-5-16 10:13

是你的地址有问题吧

1万 · 2022-5-16 10:30

SDRAM数据有什么问题

2万 · 2022-5-16 11:05

使用的是什么芯片？

只看该作者 · 2022-5-16 11:58

你看看地址线的是不是有问题

只看该作者 · 2022-5-16 12:44

把你的代码上传看看。

只看该作者 · 2022-5-16 13:20

查看一下你代码有问题吗

只看该作者 · 2022-5-16 14:03

你定义的32位数据还是8位数据呢

只看该作者 · 2022-5-17 15:54

E103最大行地址线11根，列地址线10根，控制bank数为2个，数据线16根，按照这些条件去计算可控制容量的话是可以控制到8MB的，还有一个前提的话就是外部的SDRAM也需要支持那么多的行列地址，如果支持不了的话可能就会导致你控制的容量不会是你想要的容量的。

只看该作者 · 2022-5-20 09:22

柠檬水1012 发表于 2022-5-17 15:54
E103最大行地址线11根，列地址线10根，控制bank数为2个，数据线16根，按照这些条件去计算可控制容量的话是 ...

给原厂确认了，E的不支持8MB的，只支持2MB

只看该作者 · 2022-5-20 09:23

maudlu 发表于 2022-5-16 14:03
你定义的32位数据还是8位数据呢

32和8都试过，一样的不行

只看该作者 · 2022-5-20 09:26

uytyu 发表于 2022-5-16 13:20
查看一下你代码有问题吗

就是官方的列程，修改为8MB的配置，只需要把读写函数改为同时读写两个地址，一个地址是起始地址，一个是2M的地址，就能看到写2M的时候就会把起始地址的数据覆盖了