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请教下这个电路有没有问题

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楼主
langwai|  楼主 | 2022-5-12 14:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
1.Q703 G跟D之间并一个电容+电阻，这个目的是什么，这个叠在MOS Cgd上，MOS会不会造成损坏？

2.Q704的B级跟C级串的电阻都比较大，这个会影响到这个Q管的开关吗？

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mmexport1652335789479.png

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沙发
lfc315| | 2022-5-12 18:05 | 只看该作者
1  C7010起缓开关作用，防止Q703开通太快电流太大烧毁；
2  不会。
如果楼主是电子专业的，该被老师打PP了

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板凳
lfc315| | 2022-5-12 18:09 | 只看该作者
R7009 C7011有什么用？有C7010在，这两个多此一举

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地板
langwai|  楼主 | 2022-5-12 20:42 | 只看该作者
MOS开关太慢，长时间处于米勒状态，不是会造成MOS容易烧毁么？Q703长时间处于开关状态，

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5楼
langwai|  楼主 | 2022-5-12 20:43 | 只看该作者
GS直接加电容是不是会比GD之间加电容要好？

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lfc315 2022-5-13 09:23 回复TA
就你这个电路来说，应该是电容加在G-S更好 
6楼
coody| | 2022-5-12 22:53 | 只看该作者
不会损坏，相反，MOSFET的G、D没有并RC减速，MOSFET会因为给电容充电电流过流烧坏，特别是那种SOT23封装的MOSFET。

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7楼
jimsboy| | 2022-5-13 08:08 | 只看该作者
这个电路有点怪怪的.如果不是防止干扰,基本就是新手设计.
自己设计电路.最多翻一次车,,比如搞了一段时间发现是自己考虑少了,把它的再抄过来就是了..抄别人的,说不定一直翻车.

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8楼
acontech| | 2022-5-13 08:37 | 只看该作者
langwai 发表于 2022-5-12 20:43
GS直接加电容是不是会比GD之间加电容要好？

各有利弊

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9楼
lfc315| | 2022-5-13 09:09 | 只看该作者
G-D之间加电容，输入上电时MOS是直接完全导通的，这时电流非常大，等D极电压上升起来好多才会产生自举效果，起到减速作用。

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10楼
lfc315| | 2022-5-13 09:17 | 只看该作者
langwai 发表于 2022-5-12 20:42
MOS开关太慢，长时间处于米勒状态，不是会造成MOS容易烧毁么？Q703长时间处于开关状态， ...

好像是允许的功率跟持续时间有关，瞬间电流太大，管芯来不及散热就热熔掉了

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11楼
cmyldd| | 2022-5-13 11:20 | 只看该作者
干扰 缓冲这些都是在实际应用中得来的经验的，积累遇到的坑，是有一定的道理的，原理图不是写着NC 空贴吗，预留下来封装的，未免不是不允许的

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12楼
gxs64| | 2022-5-13 13:27 | 只看该作者
c7012改小，p级，r7010上并一只10n to 100n电容

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13楼
GavinZ| | 2022-5-13 15:08 | 只看该作者
感谢楼主贴出这么高级的电路，这个电路设计的水平相当高级。

你的问题：
1，GD之间的电容就是为了保护MOSFET，保护的方式就是限制它的发热功率。
2，B，C串联的电阻就是为了让Q704正常合适的工作。
总之这里的参数都是有意设计的。

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