MRAM，非易失性磁性随机存储器，通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力，确保其写入的数据永久不会失效。集闪存，SRAM，EEPROM，uvRAM以及BBSRAM的功能于一身，具备商业级，工业级，扩展级和汽车级的可选温度范围（-40~+125摄氏度），真正无限次数的擦除使用，且在业内有着最长的寿命和数据保存时间（超出20年的非挥发特性），单芯片最高容量达到16Mb，读取/写入周期时间为35ns，具备可靠的性价比。无电池，无铅，符合ROHS规范。完全可以替代铁电存储器（FRAM）来应用，但实际性价比又要高于铁电。同等FRAM，价格绝对有优势，且比FRAM做的容量大，完全超出了FRAM目前4Mb的最大容量，已达16Mb。
Everspin 的专利 MRAM 技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础，利用电子自旋的磁性结构来存储数据信息，其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同，有效避免了电荷漏电的问题，从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。同时两个存储状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。
Everspin MRAM 在集成硅电路的磁性材料中存储信息。非易失能力、超快的存取周期、无限次擦写是 Everspin MRAM 的三大优势。另外 Everspin MRAM 环保，从两个方面分析：一方面它无铅，符合 RoHS 法规，另一方面，非易失性就不需要电池供电，除却了电池对环境的破坏。更重要的是，无需电池还能够降低系统运行风险，提升产品的可靠性。Everspin MRAM 是用户存储系统的理想选择方案。
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