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请问为什么LDO都是用PMOS而不用NMOS吗

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楼主
美杜莎|  楼主 | 2022-5-29 20:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
os, LDO, MOS, AC
请问有人知道，为什么LDO都是用PMOS而不用NMOS吗随便在网上找个图片，期望大家不用介意啊




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沙发
王栋春| | 2022-5-29 22:31 | 只看该作者
个人认为要结合下面的NMOS管一起分析。                     

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板凳
R2D2| | 2022-5-29 22:50 | 只看该作者
因为你的是正电源LDO。如果换NMOS根本就无法导通。

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地板
gx_huang| | 2022-5-30 08:51 | 只看该作者
NMOS，栅极电压比源极高VGSTH（一般在0.5V以上，比如1.2V）以上才可以导通。
同样道理，NPN，基极电压要比发射机高0.7V左右才可以导通。
这个栅极基极的驱动电压比较高，要求VIN比VOUT高很多才可以。
所以，凡是要求饱和压降小的LDO，都是PMOS/PNP结构。

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5楼
jjjyufan| | 2022-5-30 08:52 | 只看该作者
控制VOUT 当然要PMOS啊
又不是控制GND

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6楼
xch| | 2022-5-30 08:58 | 只看该作者
本帖最后由 xch 于 2022-5-30 09:03 编辑

小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

如TPS7A54 4-A output；

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7楼
567| | 2022-5-30 09:06 | 只看该作者
因为是LDO，low dropout regulator。
用NMOS的话，Dropout就不做不到Low了。

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评论
GavinZ 2022-5-31 15:37 回复TA
赞！就是这个意思。 
8楼
jimsboy| | 2022-5-30 10:12 | 只看该作者
N管,G极至少要比输出高出0.5V以上才开始导通.那么意味着最高输入输出压差至少要到0.5V以上.这还叫LDO吗?

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9楼
William1994| | 2022-5-30 13:37 | 只看该作者
xch 发表于 2022-5-30 08:58
小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

虽然里面的charge pump功率不大，但是PMOS是不需要的。NMOS比PMOS的好处确实是N衬底好散热。但是PMOS少了图中的这个charge pump，复杂度会降低不少。

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xch 2022-5-30 18:44 回复TA
成本高于同样功率的N-MOSFET 方案。 
xch 2022-5-30 18:38 回复TA
IC 设计不这么思考“复杂”问题。 DIE 的尺寸更重要，牵涉到成本。 P-MOSFET 大功率应用时性能很差，成本高于同样面积的N-MOSFET。 
10楼
美杜莎|  楼主 | 2022-5-30 13:48 | 只看该作者
xch 发表于 2022-5-30 08:58
小功率时，省电。主要是降低IQ。
大电流输出的LDO，RF 性能有要求的， 就会改用NMOSFET输出。

不好意思啊，请问为什么NMOS的LDO可以降低IQ啊？

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xch 2022-5-30 16:11 回复TA
你理解反了。 
11楼
美杜莎|  楼主 | 2022-5-30 13:50 | 只看该作者
王栋春 发表于 2022-5-29 22:31
个人认为要结合下面的NMOS管一起分析。

这个怎么分析啊？

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12楼
美杜莎|  楼主 | 2022-5-30 13:51 | 只看该作者
William1994 发表于 2022-5-30 13:37
虽然里面的charge pump功率不大，但是PMOS是不需要的。NMOS比PMOS的好处确实是N衬底好散热。但是PMOS少了 ...

主要是因为这个charge pump的原因吗？
那NMOS ldo的优势是什么啊？

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13楼
jazzyfox| | 2022-5-30 18:12 | 只看该作者
pmos驱动比较方便，nmos驱动需要举升电压

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14楼
coody| | 2022-5-30 22:05 | 只看该作者
因为NMOS的G电压要比S高，而LDO是低压差，提供不了那么高的电压，所以不方便。如果有5V的压差，则没有问题，但是这又不是LDO了。
而开关型DCDC，由于有自举，而同等规格下NMOS又比PMOS内阻低，所以用NMOS的就多了。

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15楼
radarbro| | 2022-5-31 20:05 | 只看该作者
本帖最后由 radarbro 于 2022-5-31 20:07 编辑


看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪线）,那么用最右边的结构pmos让两个波纹差不多的话，输出干扰可以抵消得到平直的VO。就和差分抑制干扰一样。你要用跟随器那么你的gate上接收的电压信号要求比较干净的voe输出vo才能比较干净，电路比较复杂要增加psrr提升的架构，使得voe波纹干净，就和第二图一样，不然会成为第一图 vo也不干净。



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星辰大海 打赏了 1.00 元 2024-10-07
理由：这段说明了一个关键的问题，很有收获

16楼
美杜莎|  楼主 | 2022-6-1 12:40 | 只看该作者
radarbro 发表于 2022-5-31 20:05
看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪 ...

请问大神，这个是什么书啊，帮忙给个书名啊

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17楼
星辰大海| | 2024-10-7 17:14 | 只看该作者
radarbro 发表于 2022-5-31 20:05
看情况，这本ldo设计的书上解释的明白。假如你的pass mos管上的gate上的波纹也就是图中voe做不干净（波浪 ...

同样请问这是哪个资料。

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